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1. (WO2010019104) PHOTOTRANSISTOR À BARRIÈRE DE SCHOTTKY ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/019104    N° de la demande internationale :    PCT/SG2008/000301
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 14.08.2008
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.11.2008    
CIB :
H01L 31/10 (2006.01)
Déposants : AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH [SG/SG]; 1 Fusionopolis Way #20-10, Connexis, Singapore 138632 (SG) (Tous Sauf US).
ZHU, Shiyang [CN/SG]; (SG) (US Seulement)
Inventeurs : ZHU, Shiyang; (SG)
Mandataire : SCHIWECK, Wolfram; Viering, Jentschura & Partner LLP, P.O. Box 1088, Rochor Post Office, Rochor Road, Singapore 911833 (SG)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SCHOTTKY-BARRIER PHOTOTRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) PHOTOTRANSISTOR À BARRIÈRE DE SCHOTTKY ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)According to an embodiment, a Schottky-barrier phototransistor is provided. The Schottky-barrier phototransistor includes a semiconductor substrate including a first doped region forming a base region; a second doped region positioned adjacent to the first doped region; wherein the second doped region is doped with dopants of an opposite conductivity to dopants of the first doped region, the second doped region forming an emitter region; and a light absorbing layer disposed above a portion of the first doped region, the light absorbing layer forming a collector region; wherein the first doped region is configured to receive light and to guide the received light to the light absorbing layer, which is configured to absorb the light. A method of manufacturing a Schottky-barrier phototransistor is also provided.
(FR)Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un phototransistor à barrière de Schottky qui comprend un substrat semi-conducteur comprenant une première région dopée formant une région de base ; une seconde région dopée positionnée de façon adjacente à la première région dopée, la seconde région dopée étant dopée avec des dopants d’une conductivité opposée à celle des dopants de la première région dopée, la seconde région dopée formant une région émettrice ; et une couche d’absorption de la lumière disposée au-dessus d’une partie de la première région dopée, ladite couche formant une région collectrice. La première région dopée est conçue pour recevoir la lumière et pour guider la lumière reçue vers la couche d’absorption de la lumière qui est conçue pour absorber la lumière. L’invention concerne également un procédé de fabrication d’un phototransistor à barrière de Schottky.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)