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1. (WO2010018946) DISPOSITIF LUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/018946    N° de la demande internationale :    PCT/KR2009/004349
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 04.08.2009
CIB :
H01L 33/36 (2010.01)
Déposants : LG INNOTEK CO., LTD [KR/KR]; 33Fl., LG Twin Tower West 20 Yeouido-dong Yeongdeungpo-gu Seoul 150-721 (KR) (Tous Sauf US)
Inventeurs : JEONG, Hwan Hee; (KR)
Mandataire : SEO, Kyo Jun; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2008-0079129 12.08.2008 KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT‑EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF LUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION CORRESPONDANT
(KO) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
Abrégé : front page image
(EN)One embodiment of the invention relates to a semiconductor light‑emitting device and a method for manufacturing same. The semiconductor light emitting device according to the embodiment comprises a second electrode layer, a light‑emitting structure that includes a plurality of compound semiconductor layers below said second electrode layer, at least one dividing groove that divides the interior region of the lower layers of said light‑emitting structure into a plurality of regions, and a first electrode below said light‑emitting structure.
(FR)La présente invention concerne un dispositif luminescent à semi-conducteurs et un procédé de production correspondant. Le dispositif luminescent à semi-conducteurs selon la forme de réalisation comprend une seconde couche d'électrode, une structure luminescente qui comprend une pluralité de couches de semi-conducteurs combinées situées sous la seconde couche d'électrodes, au moins une rainure de séparation qui divise la région intérieure des couches inférieures de ladite structure luminescente en une pluralité de régions et une première électrode située sous la structure luminescente.
(KO)실시 예는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 실시 예에 따른 반도체 발광소자는 제2전극층; 상기 제2전극층의 아래에 복수의 화합물 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 발광 구조물의 하부 층들의 내측 영역을 복수의 영역으로 분할하는 적어도 하나의 분할 홈; 및 상기 발광 구조물의 아래에 제1전극을 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)