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1. (WO2010018933) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMICONDUCTEUR AU NITRURE DE TYPE N À HAUTE CONCENTRATION ET DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT AU NITRURE À BASE DE CE SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/018933    N° de la demande internationale :    PCT/KR2009/004035
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 21.07.2009
CIB :
H01L 21/18 (2006.01)
Déposants : SEMICON LIGHT CO., LTD. [KR/KR]; Daelim Acrotel A-318, 168-1, Jeongja-dong, Bundang-gu Seongnam-si, Gyeonggi-do 463-826 (KR) (Tous Sauf US).
YOO, Tae Kyong; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : YOO, Tae Kyong; (KR)
Mandataire : LEE, Hoon; West wing 1309, Hanshin Inter Vally 707-34, Yeoksam-dong, Gangnam-gu Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2008-0079774 14.08.2008 KR
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING A HIGH‑CONCENTRATION N-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR AND NITRIDE LIGHT‑EMITTING DEVICE BASED ON SAME
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMICONDUCTEUR AU NITRURE DE TYPE N À HAUTE CONCENTRATION ET DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT AU NITRURE À BASE DE CE SEMICONDUCTEUR
(KO) 고농도 N형 질화물 반도체의 제조방법 및 이에 의한 질화물 발광소자
Abrégé : front page image
(EN)The method for manufacturing an n-type nitride semiconductor according to the prevent invention enables doping of Mg together with Si or Ge in growing an n-type Al(x)In(y)Ga(z)N nitride semiconductor layer (where 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ z ≤ 1, x + y + z = 1). In addition, the nitride light‑emitting device of the present invention may include a thin film layer comprising the n-type nitride semiconductor prepared by the method described above.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de semi-conducteur au nitrure de type n qui permet un dopage au Mg avec Si ou Ge dans la croissance d'une couche de semi-conducteur au nitrure Al(x)In(y)Ga(z)N de type n ( avec 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ z ≤ 1, x + y + z = 1). De plus, le dispositif électroluminescent au nitrure de la présente invention peut comprendre une couche de film mince comprenant le semi-conducteur au nitrure de type n préparé par ce procédé.
(KO)본 발명에 의한 N형 질화물 반도체의 제조방법은 N형 Al(x)In(y)Ga(z)N (이때, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, x+y+z=1이다) 질화물 반도체층을 성장함에 있어서, Si 또는 Ge와 함께 Mg를 도핑할 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 질화물 발광소자는 전술한 제조방법에 의해 제조된 N형 질화물 반도체로 되는 박막층을 포함할 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)