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1. (WO2010018869) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/018869    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/064361
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 14.08.2009
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : ULVAC, Inc. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAMURO Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YUYAMA Junpei [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMANE Katsumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMAMURO Kazuhiro; (JP).
YUYAMA Junpei; (JP).
YAMANE Katsumi; (JP)
Mandataire : SHIGA Masatake; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-209209 15.08.2008 JP
Titre (EN) SOLAR CELL MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池の製造方法及び製造装置
Abrégé : front page image
(EN)With a solar cell manufacturing method, structural defects (A1, A2) present in a compartment element (21) are detected. An image (M) is obtained by photographing the region that includes the structural defects (A1, A2) and a scribe line (19). Spacing between mutually adjacent scribe lines (19) or a first number of pixels corresponding to the width of the scribe line (19) is specified. Spacing between mutually adjacent scribe lines (19) which has already been stored or an actual measurement value indicating the width of the scribe line (19) which has already been stored is referenced, and the first number of pixels and the actual measured value are compared to calculate the actual dimension per pixel in the image (M). A second number of pixels corresponding to the distance between the structural defects (A1, A2) and the scribe line (19) is specified, and the second number of pixels and the actual dimension per pixel are compared to calculate defect position information. A laser beam is applied based on the defect position information, and the structural defects (A1, A2) are electrically separated.
(FR)Ce procédé de fabrication de cellule solaire recherche les défauts structurels (A1, A2) présents dans les éléments de compartiments (21), obtient une image (M) grâce à la capture d'une image de la zone comprenant lesdits défauts structurels (A1, A2) et lesdites lignes de traçage (19), détermine un premier nombre de pixels correspondant à l'intervalle entre les lignes de traçage (19) adjacentes ou encore à la largeur desdites lignes de traçage (19), référence les valeurs de mesures réelles affichées pour les intervalles entre lesdites lignes de traçage (19) adjacentes préalablement mémorisées ou encore les largeurs desdites lignes de traçage (19) préalablement mémorisées, compare ledit premier nombre de pixels avec lesdites valeurs de mesures réelles, calcule les dimensions réelles, par pixel, de ladite image (M), détermine un deuxième nombre de pixels correspondant à la distance entre lesdits défauts structurels (A1, A2) et lesdites lignes de traçage (19), compare les mesures réelles par pixel et le deuxième nombre de pixels, et calcule les informations de position des défauts structurels, projette un faisceau laser en fonction desdites informations de position des défauts et sépare électriquement lesdits défauts structurels (A1, A2).
(JA) この太陽電池の製造方法は、区画素子(21)に存在する構造欠陥(A1,A2)を検出し、前記構造欠陥(A1,A2)と前記スクライブ線(19)とを含む領域を撮像することにより画像(M)を得て、互いに隣接するスクライブ線(19)どうしの間隔、又は前記スクライブ線(19)の幅に相当する第一の画素数を特定し、予め記憶された互いに隣接する前記スクライブ線(19)どうしの間隔、又は予め記憶された前記スクライブ線(19)の幅を示す実測値を参照し、前記第一の画素数と前記実測値とを比較して、前記画像(M)上における1画素あたりの実寸法を算出し、前記構造欠陥(A1,A2)と前記スクライブ線(19)との距離に相当する第二の画素数を特定し、前記第二の画素数と前記1画素あたりの実寸法とを比較して欠陥位置情報を算出し、前記欠陥位置情報に基づきレーザー光を照射して前記構造欠陥(A1,A2)を電気的に分離する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)