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1. (WO2010018783) DISPOSITIF DE REFORMAGE DE GAZ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/018783    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/063984
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 07.08.2009
CIB :
H05H 1/24 (2006.01), B01J 19/08 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56 Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP) (Tous Sauf US).
SHIMIZU Naohiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IMANISHI Yuuichirou [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HOTTA Sozaburo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHIMIZU Naohiro; (JP).
IMANISHI Yuuichirou; (JP).
HOTTA Sozaburo; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE Hidetoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-207397 11.08.2008 JP
Titre (EN) GAS REFORMING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE REFORMAGE DE GAZ
(JA) ガス改質装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a gas reforming device which efficiently produces reformed gas. The gas reforming device is equipped with a flow channel-forming body whereby a flow channel is formed in which a process gas flows, a cathode provided in the cross section of the flow channel, an anode, provided separated from the cathode and equipped with a rod-shaped part, and a pulsed power supply which applies a pulsed voltage between the cathode and anode. The cathode has an aperture array, at least the surface of which is composed of an insulator and which has a planar structure in which are arranged apertures through which the process gas flows, and a grounding electrode provided at the peripheral part of the flow channel. The tip of the rod-shaped part of the anode is inside the process gas flow channel and is separated from the aperture array in a direction parallel to the direction of flow of the process gas. The grounding electrode is provided in a location such that it contacts the end of an ion sheath layer which spreads across the surface of the aperture array due to the application of pulsed voltage between the cathode and anode.
(FR)L'invention concerne un dispositif de reformage de gaz, qui produit un gaz reformé avec un bon rendement. Le dispositif de reformage de gaz est équipé d’un corps formant un conduit d’écoulement dans lequel circule un gaz de process, d’une cathode installée dans la section transversale du conduit d’écoulement, d’une anode installée à l’écart de la cathode et dotée d’une partie en forme de tige, et d’une alimentation électrique pulsée qui applique une tension pulsée entre la cathode et l’anode. La cathode est dotée d’un réseau d’ouvertures dont la surface au moins est composée d’un isolant et qui présente une structure planaire où sont pratiquées des ouvertures par lesquelles s’écoule le gaz de process, et une électrode de mise à la terre est installée à la partie périphérique du conduit d’écoulement. Le bout de la partie en forme de tige de l’anode se trouve à l’intérieur du conduit d’écoulement du gaz de process et est écarté du réseau d’ouvertures dans une direction parallèle à la direction d’écoulement du gaz de process. L’électrode de mise à la terre est située à un emplacement choisi de telle sorte qu’elle touche l’extrémité d’une couche de gaine ionique qui s’étend sur toute la surface du réseau d’ouvertures du fait de l’application de la tension pulsée entre la cathode et l’anode.
(JA) 効率良く改質ガスを生成するガス改質装置を提供する。ガス改質装置は、処理ガスが流れる流路が形成された流路形成体と、流路の断面に設けられた陰極と、陰極から離間して設けられ、棒形状部分を備える陽極と、陰極と陽極との間にパルス電圧を印加するパルス電源と、を備える。陰極は、少なくとも表面が絶縁体からなり、処理ガスが通過する開口が配列された平面構造を有する開口配列体と、流路の周辺部に設けられた接地用電極と、を備える。陽極の棒形状部分の先端は、処理ガスの流路の内部にあり、処理ガスが流れる方向に平行な方向に開口配列体から離間される。接地用電極は、陰極と陽極との間へのパルス電圧の印加により開口配列体の表面に広がるイオンシース層の端部に接触する位置に設けられる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)