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1. (WO2010018767) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR ET RUBAN ADHÉSIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/018767    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/063806
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 04.08.2009
CIB :
H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : DENKI KAGAKU KOGYO KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038338 (JP) (Tous Sauf US).
INADA Taro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : INADA Taro; (JP)
Mandataire : SONODA Yoshitaka; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-206676 11.08.2008 JP
2009-004347 13.01.2009 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR PROCESSING METHOD AND ADHESIVE TAPE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR ET RUBAN ADHÉSIF
(JA) 半導体加工方法及び粘着テープ
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a semiconductor processing method wherein cleaning is not required even when an outer circumferential edge (3) of a semiconductor wafer (1) is contaminated due to processing, the outer circumferential edge (3) of the semiconductor wafer (1) is protected from corrosion and shocks from the external, and furthermore, the semiconductor wafer can be coated with electroless nickel plating.  The semiconductor processing method includes a step of attaching an adhesive tape (4) onto the outer circumferential edge (3) of the semiconductor wafer (1) at the time of processing the semiconductor wafer (1), and a step of removing the adhesive tape (4) from the semiconductor wafer (1).  Furthermore, the adhesive tape (4) to be used in such method is also provided, and an adhesive of the adhesive tape (4) contains an acrylic component and a silicone component.
(FR)La présente invention concerne un procédé de traitement de semi-conducteur. Un nettoyage n’est pas nécessaire même lorsqu’un bord périphérique externe (3) d’une tranche semi-conductrice (1) est contaminé du fait du traitement, le bord périphérique externe (3) de ladite tranche (1) est protégé de la corrosion et des chocs provenant de l’extérieur et, en outre, ladite tranche peut être revêtue d’un dépôt autocatalytique de nickel. Le procédé de traitement de semi-conducteur comprend une étape consistant à fixer un ruban adhésif (4) sur le bord périphérique externe (3) de la tranche semi-conductrice (1) au moment du traitement de ladite tranche (1) et une étape consistant à enlever le ruban adhésif (4) de ladite tranche (1). En outre, le ruban adhésif (4) devant être utilisé dans un tel procédé est également proposé et un adhésif dudit ruban (4) contient un composant acrylique et un composant silicone.
(JA)本発明は、加工により半導体ウエハ(1)の外周端縁(3)が汚染した場合であっても洗浄する必要が無く、半導体ウエハ(1)の外周端縁(3)を腐食や外部からの衝撃から保護し、しかも無電解ニッケルめっきによるコーティングを可能にすることができる半導体加工方法を提供するものであり、当該半導体加工方法は半導体ウエハ(1)の加工の際に粘着テープ(4)を半導体ウエハ(1)の外周端縁(3)に貼り付ける工程および前記半導体ウエハ(1)から前記粘着テープ(4)を除去する工程を含むことを特徴とする。また、当該方法に用いるための粘着テープ(4)を提供するものであり、粘着テープ(4)の粘着剤がアクリル成分とシリコーン成分とを有することを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)