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1. (WO2010018490) CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/018490    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/053408
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 05.08.2009
CIB :
H01L 31/0384 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; Hith Tech Campus 60 NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
FURUKAWA, Yukiko [JP/JP]; (GB) (US Seulement).
PASVEER, Frank [NL/NL]; (GB) (US Seulement).
KLOOTWIJK, Johan [IN/IN]; (GB) (US Seulement).
KOCHUPURACKAL, Jinesh [IN/IN]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : FURUKAWA, Yukiko; (GB).
PASVEER, Frank; (GB).
KLOOTWIJK, Johan; (GB).
KOCHUPURACKAL, Jinesh; (GB)
Mandataire : BURTON, Nick; Betchworth House Station Road Surrey Redhill Surrey RH1 1DL (GB)
Données relatives à la priorité :
08105025.4 12.08.2008 EP
Titre (EN) A PHOTOVOLTAIC CELL AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A photovoltaic cell (100) which comprises a semiconductive matrix (102) of a first type of conductivity, and a plurality of semiconductive nanoclusters (104) of a second type of conductivity which differs from the first type of conductivity which are at least partially embedded in the semiconductive matrix (102) so that a pn-junction (106) is formed between the plurality of semiconductive nanoclusters (104) and the semiconductive matrix (102).
(FR)L'invention porte sur une cellule photovoltaïque (100) qui comprend une matrice semi-conductrice (102) d'un premier type de conductivité, et une pluralité de nanoagrégats semi-conducteurs (104) d'un second type de conductivité qui diffère du premier type de conductivité qui sont au moins partiellement incorporés dans la matrice semi-conductrice (102) de sorte qu'une jonction PN (106) est formée entre la pluralité de nanoagrégats semi-conducteurs (104) et la matrice semi-conductrice (102).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)