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1. (WO2010018430) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE IMAGE EN TONS INVERSÉS PAR MASQUE DUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/018430    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/005146
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 30.03.2009
CIB :
G03F 7/40 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : AZ ELECTRONIC MATERIALS USA CORP. [US/US]; 70 Meister Avenue Somerville, NJ 08876 (US)
Inventeurs : ABDALLAH, David J.; (US).
DAMMEL, Ralph R.; (US).
NEISSER, Mark; (US)
Données relatives à la priorité :
12/192,621 15.08.2008 US
Titre (EN) A HARDMASK PROCESS FOR FORMING A REVERSE TONE IMAGE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE IMAGE EN TONS INVERSÉS PAR MASQUE DUR
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a process for forming an reverse tone image on a device comprising; a) forming an absorbing underlayer on a substrate; b) forming a coating of a positive photoresist over the underlayer; c) forming a photoresist pattern; d) treating the first photoresist pattern with a hardening compound, thereby forming a hardened photoresist pattern; e) forming a silicon coating over the hardened photoresist pattern from a silicon coating composition; f) dry etching the silicon coating to remove the silicon coating till the silicon coating has about the same thickness as the photoresist pattern; and, g) dry etching to remove the photoresist and the underlayer, thereby forming a trench beneath the original position of the photoresist pattern. The invention further relates to a product of the above process and to a microelectronic device made from using the above process.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'une image en tons inversés sur un dispositif, consistant à : a) former une sous-couche absorbante sur un substrat; b) former un revêtement d'une résine photosensible positive sur la sous-couche; c) former un motif de résine photosensible; d) traiter le premier motif de résine photosensible avec un composé durcissant, afin de former un motif de résine photosensible durcie; e) former un revêtement de silicium sur le motif de résine photosensible durcie à partir d'une composition de revêtement de silicium; f) graver à sec le revêtement de silicium pour éliminer le revêtement de silicium jusqu'à ce qu'il ait une épaisseur sensiblement égale à celle du motif de résine photosensible; et g) graver à sec pour éliminer la résine photosensible et la sous-couche, afin de former une tranchée sous la position initiale du motif de résine photosensible. L'invention concerne en outre un produit du procédé susmentionné et un dispositif microélectronique réalisé grâce au procédé susmentionné.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)