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1. (WO2010017793) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/017793    N° de la demande internationale :    PCT/DE2009/000989
Date de publication : 18.02.2010 Date de dépôt international : 15.07.2009
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg (DE) (Tous Sauf US).
WEIMAR, Andreas [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
FISCHER, Helmut [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ALBRECHT, Tony [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna [PL/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : WEIMAR, Andreas; (DE).
FISCHER, Helmut; (DE).
ALBRECHT, Tony; (DE).
KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2008 038 725.8 12.08.2008 DE
Titre (DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einem Träger (3), - einer reflektierenden Schicht (1), die ein zur Migration neigendes Metall enthält, wobei die reflektierende Schicht (1) auf dem Träger (3) angeordnet ist, - einem Halbleiterkörper (2), der an der dem Träger (3) abgewandten Seite der reflektierenden Schicht (1) angeordnet ist und die reflektierende Schicht (1) an einer Seitenfläche (1a) der reflektierenden Schicht (1) überragt, und - einer Migrationssperre (4), welche die Seitenfläche (1a) der reflektierenden Schicht (1) überdeckt, wobei die Migrationssperre (4) ein Metall enthält.
(EN)An optoelectronic semiconductor chip is disclosed with a carrier (3), a reflecting layer (1) which contains a metal tending toward migration, wherein the reflective layer (1) is arranged on the carrier (3), a semiconductor element (2) which is arranged on the side of the reflective layer (1) facing away from the carrier (3) and the reflective layer (1) protrudes from one side surface (1a) of the reflective layer (1), and a migration barrier (4) which covers the side surface (1a) of the reflective layer (1), wherein the migration barrier (4) contains a metal.
(FR)L’invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique, avec – un support (3), - une couche réfléchissante (1) qui contient un métal tendant à migrer, la couche réfléchissante (1) étant disposée sur le support (3), - un corps semi-conducteur (2) qui est disposé du côté opposé au support (3) de la couche réfléchissante (1) et qui déborde la couche réfléchissante (1) sur une surface latérale (1a) de la couche réfléchissante (1), et – une inhibition de migration (4) qui recouvre la surface latérale (1a) de la couche réfléchissante (1), l’inhibition de migration (4) contenant un métal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)