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1. (WO2010017555) MATÉRIAUX INORGANIQUES À MULTIPLES JONCTIONS EN VRAC ET PROCÉDÉS DE PRÉPARATION DE CEUX-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/017555    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/053298
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 10.08.2009
CIB :
H01L 31/0384 (2006.01)
Déposants : CORNELL RESEARCH FOUNDATION, INC. [US/US]; Cornell Center For Technology Enterprise And Commercialization 395 Pine Tree Road, Suite 310 Ithaca, NY 14850 (US) (Tous Sauf US).
HANRATH, Tobias [DE/US]; (US) (US Seulement).
ENGSTROM, James, R. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HANRATH, Tobias; (US).
ENGSTROM, James, R.; (US)
Mandataire : ROMAN, Paul, J.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/087,455 08.08.2008 US
Titre (EN) INORGANIC BULK MULTIJUNCTION MATERIALS AND PROCESSES FOR PREPARING THE SAME
(FR) MATÉRIAUX INORGANIQUES À MULTIPLES JONCTIONS EN VRAC ET PROCÉDÉS DE PRÉPARATION DE CEUX-CI
Abrégé : front page image
(EN)A nanostructured composite material comprising semiconductor nanocrystals in a crystalline semiconductor matrix. Suitable nanocrystals include silicon, germanium, and silicon-germanium alloys, and lead salts such as PbS, PbSe, and PbTe. Suitable crystalline semiconductor matrix materials include Si and silicon-germanium alloys. A process for making the nanostructured composite materials. Devices comprising nanostructured composite materials.
(FR)L'invention concerne un matériau composite nanostructuré qui comporte des nanocristaux semi-conducteurs dans une matrice de semi-conducteurs cristallins. Des nanocristaux appropriés comprennent du silicium, du germanium et des alliages de silicium-germanium, et des sels de plomb tels que PbS, PbSe et PbTe. Des matériaux de matrice de semi-conducteurs cristallins appropriés comprennent du Si et des alliages de silicium-germanium. Un traitement pour fabriquer des matériaux composites nanostructurés est décrit. Des dispositifs comportant des matériaux composites nanostructurés sont également décrits.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)