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1. (WO2010017426) CELLULE DE MÉMOIRE QUI COMPREND UN ÉLÉMENT DE MÉMOIRE À BASE DE CARBONE ET PROCÉDÉS DE FORMATION DE CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/017426    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/053058
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 06.08.2009
CIB :
H01L 27/10 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : SANDISK 3D, LLC [US/US]; 601 McCarthy Blvd. Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
XU, Huiwen [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : XU, Huiwen; (US)
Mandataire : DUGAN, Brian, M.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/087,164 07.08.2008 US
12/536,469 05.08.2009 US
Titre (EN) A MEMORY CELL THAT INCLUDES A CARBON-BASED MEMORY ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE QUI COMPREND UN ÉLÉMENT DE MÉMOIRE À BASE DE CARBONE ET PROCÉDÉS DE FORMATION DE CELLE-CI
Abrégé : front page image
(EN)Memory cells, and methods of forming such memory cells, are provided that include a carbon-based reversible resistivity switching material. In particular embodiments, methods in accordance with this invention form a memory cell by forming a layer of carbon material above a substrate, forming a barrier layer above the carbon layer, forming a hardmask layer above the barrier layer, forming a photoresist layer above the hardmask layer, patterning and developing the photoresist layer to form a photoresist region, patterning and etching the hardmask layer to form a hardmask region, and using an ashing process to remove the photoresist region while the barrier layer remains above the carbon layer. Other aspects are also provided.
(FR)L'invention concerne des cellules de mémoire, et des procédés de formation de telles cellules de mémoire, qui comprennent un matériau de commutation de résistivité réversible à base de carbone. Dans des modes particuliers de réalisation, des procédés selon l'invention forment une cellule de mémoire en formant une couche de matériau de carbone au-dessus d'un substrat, en formant une couche barrière au-dessus de la couche de carbone, en formant une couche de masquage dure au-dessus de la couche barrière, en formant une couche de résine photosensible au-dessus de la couche de masquage dure, en munissant d'un motif et en développant la couche de résine photosensible pour former une zone de résine photosensible, en munissant d'un motif et en gravant la couche de masquage dure pour former une zone de masquage dure, et en utilisant un procédé d'incinération pour supprimer la zone de résine photosensible alors que la couche barrière reste au-dessus de la couche de carbone. D'autres aspects sont également fournis.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)