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1. (WO2010017142) COMMANDE EN BOUCLE FERMÉE D’UN PROFIL DE TAMPON BASÉE SUR DES INFORMATIONS DE MÉTROLOGIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/017142    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/052601
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 03.08.2009
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
CHANG, Shou-sung [--/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Hung Chih [US/US]; (US) (US Seulement).
TSAI, Stan, D. [CA/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Yuchun [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CHANG, Shou-sung; (US).
CHEN, Hung Chih; (US).
TSAI, Stan, D.; (US).
WANG, Yuchun; (US)
Mandataire : TOMITA, Paul, K.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/187,675 07.08.2008 US
Titre (EN) CLOSED LOOP CONTROL OF PAD PROFILE BASED ON METROLOGY FEEDBACK
(FR) COMMANDE EN BOUCLE FERMÉE D’UN PROFIL DE TAMPON BASÉE SUR DES INFORMATIONS DE MÉTROLOGIE
Abrégé : front page image
(EN)A chemical mechanical polishing apparatus includes a metrology system that detects the thickness of the polishing pad as semiconductor wafers are processed and the thickness of the polishing pad is reduced. The chemical mechanical polishing apparatus includes a controller that adjusts the rate of material removal of a conditioning disk when areas of the polishing surface are detected that are higher or lower than the adjacent areas of the polishing pad.
(FR)La présente invention a pour objet un appareil de polissage mécanique chimique comprenant un système de métrologie qui détecte l’épaisseur du tampon de polissage lorsque des plaquettes à semi-conducteur sont traitées et l’épaisseur du tampon de polissage est réduite. L’appareil de polissage mécanique chimique comprend un dispositif de commande qui ajuste le taux d’élimination de matière d’un disque de conditionnement lorsque les zones de la surface de polissage sont détectées comme étant supérieures ou inférieures aux zones adjacentes du tampon de polissage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)