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1. (WO2010017123) PROCÉDÉS PERMETTANT DE FORMER DES RÉGIONS DOPÉES DANS UN MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/017123    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/052546
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 03.08.2009
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 31/042 (2006.01)
Déposants : HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; Law Department AB/2B 101 Columbia Road Morristown, New Jersey 07962 (US) (Tous Sauf US).
LEUNG, Roger Yu-Kwan [US/US]; (US) (US Seulement).
ZHOU, De-Ling [CN/US]; (US) (US Seulement).
FAN, Wenya [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LEUNG, Roger Yu-Kwan; (US).
ZHOU, De-Ling; (US).
FAN, Wenya; (US)
Mandataire : BEATUS, Carrie; Honeywell International Inc. Law Department AB/2B 101 Columbia Road Morristown, New Jersey 07962-2245 (US)
Données relatives à la priorité :
12/186,999 06.08.2008 US
Titre (EN) METHODS FOR FORMING DOPED REGIONS IN A SEMICONDUCTOR MATERIAL
(FR) PROCÉDÉS PERMETTANT DE FORMER DES RÉGIONS DOPÉES DANS UN MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Methods for forming doped regions in a semiconductor material that minimize or eliminate vapor diffusion of a dopant element and/or dopant from a deposited dopant and/or into a semiconductor material and methods for fabricating semiconductor devices that minimize or eliminate vapor diffusion of a dopant element and/or dopant from a deposited dopant and/or into a semiconductor material are provided. In one exemplary embodiment, a method for forming doped regions in a semiconductor material comprises depositing a conductivity-determining type dopant comprising a dopant element overlying a first portion of the semiconductor material. A diffusion barrier material is applied such that it overlies a second portion of the semiconductor material. The dopant element of the conductivity-determining type dopant is diffused into the first portion of the semiconductor material.
(FR)La présente invention a trait à des procédés permettant de former des régions dopées dans un matériau semi-conducteur qui réduisent au minimum voire suppriment la diffusion de vapeur d’un élément dopant et/ou d’un dopant à partir d’un dopant déposé et/ou dans un matériau semi-conducteur, ainsi qu’à des procédés de fabrication de dispositifs à semi-conducteur qui réduisent au minimum voire suppriment la diffusion de vapeur d’un élément dopant et/ou d’un dopant à partir d’un dopant déposé et/ou dans un matériau semi-conducteur. Selon un mode de réalisation donné à titre d’exemple, un procédé permettant de former des régions dopées dans un matériau semi-conducteur comprend une étape consistant à déposer un dopant du type déterminant la conductivité, comprenant un élément dopant recouvrant une première partie du matériau semi-conducteur. Un matériau formant barrière de diffusion est appliqué de manière à chevaucher une seconde partie du matériau semi-conducteur. L’élément dopant du dopant du type déterminant la conductivité est diffusé dans la première partie du matériau semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)