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1. (WO2010017088) MATÉRIAU DIÉLECTRIQUE HYBRIDE POUR DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/017088    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/052233
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 30.07.2009
CIB :
H01L 29/49 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01)
Déposants : THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY [US/US]; P.o. Box 36 Princeton, NJ 08544 (US) (Tous Sauf US).
HAN, Lin [CN/US]; (US) (US Seulement).
MANDLIK, Prashant [IN/US]; (US) (US Seulement).
WAGNER, Sigurd [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HAN, Lin; (US).
MANDLIK, Prashant; (US).
WAGNER, Sigurd; (US)
Mandataire : GODLEWSKI, Kevin, T.; (US)
Données relatives à la priorité :
61/086,047 04.08.2008 US
Titre (EN) HYBRID DIELECTRIC MATERIAL FOR THIN FILM TRANSISTORS
(FR) MATÉRIAU DIÉLECTRIQUE HYBRIDE POUR DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES
Abrégé : front page image
(EN)Thin-film transistors are made using an organosilicate glass (OSG) as an insulator material. The organosilicate glasses may be SiO2-silicone hybrid materials deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition from siloxanes and oxygen. These hybrid materials may be employed as the gate dielectric, as a subbing layer, and/or as a back channel passivating layer. The transistors may be made in any conventional TFT geometry.
(FR)L'invention porte sur des transistors en couches minces (TFT), qui sont fabriqués à l'aide d'un verre d'organosilicate (OSG) en tant que matériau isolant. Les verres d'organosilicate peuvent être des matériaux hybrides SiO2-silicone déposés par dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma à partir de siloxanes et d'oxygène. Ces matériaux hybrides peuvent être employés en tant que diélectrique de grille, en tant que couche de substrat et/ou en tant que couche de passivation de canal arrière. Les transistors peuvent être fabriqués dans n'importe quelle géométrie TFT classique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)