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1. (WO2010017054) FORMATION D'UNE COUCHE D'OXYDE D'INDIUM-ÉTAIN (ITO)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/017054    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/051876
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 27.07.2009
CIB :
C23C 14/08 (2006.01)
Déposants : APPLE INC. [US/US]; 1 Infinite Loop Cupertino, CA 95014 (US) (Tous Sauf US).
HUANG, Lili [US/US]; (US) (US Seulement).
ZHONG, John, Z. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HUANG, Lili; (US).
ZHONG, John, Z.; (US)
Mandataire : KUBOTA, Glenn, M.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/189,133 08.08.2008 US
Titre (EN) INDIUM TIN OXIDE (ITO) LAYER FORMING
(FR) FORMATION D'UNE COUCHE D'OXYDE D'INDIUM-ÉTAIN (ITO)
Abrégé : front page image
(EN)A layer of material, such as crystalline indium tin oxide (ITO), is formed on top of a substrate by heating the material to a high temperature, while a temperature increase of the substrate is limited such that the temperature of the substrate does not exceed a predetermined temperature. For example, a layer including amorphous ITO can be deposited on top of the substrate, and the amorphous layer can be heated in a surface anneal process using radiation while limiting substrate temperature. Another process can pass electrical current through the amorphous ITO. In another process, the substrate is passed through a high-temperature deposition chamber quickly, such that a portion of a layer of crystalline ITO is deposited, while the temperature increase of the substrate is limited.
(FR)L'invention concerne une couche de matériau, comme un oxyde d'indium-étain (ITO) cristallin, qui est formée au-dessus d'un substrat en chauffant le matériau à une température élevée, l'augmentation de température du substrat étant limitée afin que la température du substrat ne dépasse pas une température prédéterminée. Par exemple, une couche incluant de l'ITO amorphe peut être déposée au-dessus du substrat, et la couche amorphe peut être chauffée dans un procédé de recuisson de surface en utilisant un rayonnement tout en limitant la température du substrat. Dans un autre procédé, un courant électrique peut passer rapidement par une chambre de dépôt à haute température, de telle sorte qu'une partie d'une couche d'ITO cristallin soit déposée, l'augmentation de température du substrat étant limitée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)