WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010016958) STRUCTURE D'INTERCONNEXION AVEC CHAPEAU MÉTALLIQUE AUTO-ALIGNÉE AVEC UNE SURFACE D'UN MATÉRIAU CONDUCTEUR INCORPORÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/016958    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/042065
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 29.04.2009
CIB :
H01L 21/70 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [--/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
MURRAY, Conal, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
YANG, Chih-Chao [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MURRAY, Conal, E.; (US).
YANG, Chih-Chao; (US)
Mandataire : GROLZ, Edward, W.; (US)
Données relatives à la priorité :
12/187,864 07.08.2008 US
Titre (EN) INTERCONNECT STRUCTURE WITH METAL CAP SELF-ALIGNED TO A SURFACE OF AN EMBEDDED CONDUCTIVE MATERIAL
(FR) STRUCTURE D'INTERCONNEXION AVEC CHAPEAU MÉTALLIQUE AUTO-ALIGNÉE AVEC UNE SURFACE D'UN MATÉRIAU CONDUCTEUR INCORPORÉ
Abrégé : front page image
(EN)An interconnect structure is provided that has enhanced electromigration reliability without degrading circuit short yield, and improved technology extendibility. The inventive interconnect structure includes a dielectric material having a dielectric constant of about 3.0 or less. The dielectric material has at least one conductive material embedded therein. A noble metal cap is located directly on an upper surface of the at least one conductive region. The noble metal cap does not extend onto an upper surface of a diffusion barrier that separates the at least one conductive material from the dielectric material, and the noble cap material does not deposit on the dielectric surface. A method fabricating such an interconnect structure utilizing a low temperature (about 200°C or less) chemical deposition process is also provided.
(FR)L'invention porte sur une structure d'interconnexion qui a une fiabilité d'électromigration améliorée sans dégradation de rendement de court-circuit, et une extensibilité de technologie améliorée. La structure d'interconnexion de l'invention comprend un matériau diélectrique ayant une constante diélectrique d'environ 3,0 ou moins. Le matériau diélectrique a au moins un matériau conducteur incorporé dans celui-ci. Un chapeau en métal noble est située directement sur une surface supérieure de la au moins une région conductrice. Le chapeau en métal noble ne s'étend pas sur une surface supérieure d'une barrière de diffusion qui sépare le au moins un matériau conducteur du matériau diélectrique, et le matériau de chapeau noble ne se dépose pas sur la surface diélectrique. L'invention porte également sur un procédé de fabrication d'une telle structure d'interconnexion à l'aide d'un procédé de dépôt chimique à basse température (environ 200°C ou moins).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)