WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010016720) PROCEDE DE SOUDAGE A DIFFUSION PAR FUSION POUR FIL SUPRACONDUCTEUR A HAUTE TEMPERATURE DE DEUXIEME GENERATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/016720    N° de la demande internationale :    PCT/KR2009/004360
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 04.08.2009
CIB :
H01B 12/00 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01)
Déposants : K. JOINS [KR/KR]; Korea University Business Incubation Center 641A Anam-dong 5-ga 1, Seongbuk-gu Seoul 136-701 (KR) (Tous Sauf US).
LEE, Haigun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
OH, Young Kun [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : LEE, Haigun; (KR).
OH, Young Kun; (KR)
Mandataire : DAE-A INTERNATIONAL IP & LAW FIRM; 3F., Hanyang Bldg., 830-71 Yeoksam-dong, Gangnam-gu Seoul 135-936 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2008-0076174 04.08.2008 KR
10-2008-0076178 04.08.2008 KR
Titre (EN) MELTING DIFFUSION WELDING METHOD FOR SECOND GENERATION HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTING WIRE
(FR) PROCEDE DE SOUDAGE A DIFFUSION PAR FUSION POUR FIL SUPRACONDUCTEUR A HAUTE TEMPERATURE DE DEUXIEME GENERATION
(KO) 2세대 고온 초전도 선재의 용융확산 접합방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a welding method for a second generation high temperature superconducting wire including a substrate, a buffer layer, a superconductor layer, and a stabilizing material layer, wherein parts of the stabilizing material layers contained in two strands of the second generation high temperature superconducting wire are removed, the superconductor layers of two strands of the second generation high temperature superconducting wire exposed by the removal of the stabilizing material layer abut each other and are heated to the melting point of the superconductor layer to melt-diffuse the abutting superconductor layers and weld two strands of the second generation high temperature superconducting wire together. Subsequently, the welded portion is oxygenation-annealed under an oxygen atmosphere to recover superconducting properties of the second high temperature superconducting wire. The above-described configuration of the present invention enables superconductor layers to directly abut each other and to be melt-diffused without using a mediator, thus producing a wire having a full length with a rare junction resistance as compared to a normal conduction junction method. Specifically, the present invention brings a partial oxygen pressure to a nearly vacuum state to lower the melting point, thereby enabling junction processes to be performed without melting a stabilizing material layer containing silver (Ag).
(FR)L'invention concerne un procédé de soudage pour un fil supraconducteur à haute température de deuxième génération comprenant un substrat, une couche tampon, une couche supraconductrice et une couche de matériau stabilisant. Selon ce procédé, des parties des couches de matériau stabilisant contenues dans deux brins du fil supraconducteur sont éliminées; les couches supraconductrices de deux brins du fil supraconducteur découvertes par l'élimination de la couche de matériau stabilisant sont contiguës et chauffées jusqu'au point de fusion de la couche supraconductrice pour diffuser par fusion les couches supraconductrices contiguës et souder les deux brins du fil supraconducteur selon l'invention. Ainsi, la partie soudée est recuite par oxygénation dans un environnement contenant de l'oxygène pour récupérer les propriétés supraconductrices du fil supraconducteur. La configuration selon l'invention permet à des couches supraconductrices d'être directement contiguës et d'être diffusées par fusion sans recours à un médiateur, ce qui permet d'obtenir un fil présentant une pleine longueur dotée d'une résistance de jonction exceptionnelle par rapport à un procédé classique de jonction par conduction. Plus particulièrement, la présente invention met une pression d'oxygène partielle dans un état de quasi-vide pour abaisser le point de fusion, ce qui permet d'effectuer les processus de jonction sans avoir recours à la fusion d'une couche de matériau stabilisant contenant de l'argent (Ag).
(KO)본 발명은 기판부, 완충층, 초전도체층 및 안정화재층을 포함한 2세대 고온 초전도 선재의 접합방법에 관한 것으로서, 2세대 고온 초전도 선재 2가닥에 포함된 안정화재층의 일부를 제거하고, 안정화재층이 제거되어 노출된 2세대 고온 초전도 선재 2가닥의 초전도체층을 맞대어 접촉하도록 고정한 다음 초전도체층의 용융점(melting point)까지 가열함으로써 맞대어 접촉한 초전도체층을 용융확산(melting diffusion)시켜 2세대 고온 초전도 선재 2가닥을 접합한다. 이후 접합부분을 산소분위기로 산화(oxygenation annealing)시켜 2세대 고온 초전도 선재의 초전도 특성을 회복한다. 이러한 구성에 의하여 중간 매개체 없이 직접 초전도체층을 맞대어 용융확산함으로써, 상전도 접합에 비해 접합저항이 거의 없이 충분히 긴 선재를 제작할 수 있고, 특히, 산소분압을 진공에 가까운 상태로 만들어 공융점을 낮춤으로써, 은(Ag)을 함유한 안정화재층 등이 용융되지 않게 하면서 접합할 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)