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1. (WO2010016643) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR MESURER UN POINT ISOÉLECTRIQUE À L'AIDE D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/016643    N° de la demande internationale :    PCT/KR2008/007452
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 16.12.2008
CIB :
G01N 27/00 (2006.01)
Déposants : ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE [KR/KR]; 161, Gajeong-dong Yuseong-gu Daejeon 305-700 (KR) (Tous Sauf US).
AH, Chil-Seong [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Ansoon [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Chan-Woo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
AHN, Chang-Geun [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YANG, Jong-Heon [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
BAEK, In-Bok [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Taeyoub [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
SUNG, Gun-Yong [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
PARK, Seon-Hee [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YU, Han-Young [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : AH, Chil-Seong; (KR).
KIM, Ansoon; (KR).
PARK, Chan-Woo; (KR).
AHN, Chang-Geun; (KR).
YANG, Jong-Heon; (KR).
BAEK, In-Bok; (KR).
KIM, Taeyoub; (KR).
SUNG, Gun-Yong; (KR).
PARK, Seon-Hee; (KR).
YU, Han-Young; (KR)
Mandataire : KWON, Hyuk-Soo; 3rd Fl., 827-25 Yeoksam-dong Kangnam-gu Seoul 135-808 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2008-0077893 08.08.2008 KR
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING ISOELECTRIC POINT USING FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR MESURER UN POINT ISOÉLECTRIQUE À L'AIDE D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a method and apparatus for measuring an isoelectric point using a field effect transistor. The method includes providing a field effect transistor including a substrate, source and drain electrodes disposed on the substrate and spaced apart from each other, and a channel region between the source and drain electrodes, providing a first electrolyte solution having a first concentration to the channel region of the field effect transistor and measuring a first current value of the channel region between the source and drain electrodes, providing a second electrolyte solution having a second concentration greater than the first concentration and measuring a second current value of the channel region between the source and drain electrodes, and determining the isoelectric point of the field effect transistor or a material disposed on the field effect transistor using a difference between the first and second current values.
(FR)L'invention porte sur un procédé et sur un appareil pour mesurer un point isoélectrique à l'aide d'un transistor à effet de champ. Le procédé comprend la disposition d'un transistor à effet de champ comprenant un substrat, des électrodes de source et de drain disposées sur le substrat et espacées l'une de l'autre, et une région de canal entre les électrodes de source et de drain, la disposition d'une première solution électrolytique ayant une première concentration dans la région de canal du transistor à effet de champ et mesurant une première valeur de courant de la région de canal entre les électrodes de source et de drain, la disposition d'une seconde solution électrolytique ayant une seconde concentration supérieure à la première concentration et mesurant une seconde valeur de courant de la région de canal entre les électrodes de source et de drain, et la détermination du point isoélectrique du transistor à effet de champ ou d'un matériau disposé sur le transistor à effet de champ à l'aide d'une différence entre les première et seconde valeurs de courant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)