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1. (WO2010016586) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/016586    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/064052
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 07.08.2009
CIB :
H01L 21/324 (2006.01), C30B 15/04 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01), C30B 33/02 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01)
Déposants : SUMCO TECHXIV CORPORATION [JP/JP]; 1324-2, Masuragahara-machi, Omura-shi Nagasaki 8568555 (JP) (Tous Sauf US).
SADOHARA, Shinya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SADOHARA, Shinya; (JP)
Mandataire : AIKAWA, Toshihiko; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-205818 08.08.2008 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ウェーハの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a silicon wafer manufacturing method by which oxygen concentration of a surface layer can be kept at a predetermined level or higher, while more effectively promoting generation of a defect-free layer.  Thus, strength of the wafer surface layer can be improved compared with normal annealed products, while ensuring the COP-free zone. In the method for manufacturing a silicon wafer having nitrogen and oxygen added thereto, a silicon single crystal having nitrogen added thereto is grown by a Czochralski method, a silicon single crystal wafer is obtained by slicing the grown silicon single crystal, and heat treatment is performed to the sliced silicon single crystal wafer under atmosphere containing at least hydrogen gas or an inert gas.  Then, the heat-treated silicon single crystal wafer is polished, and a surface layer which is obtained by heat treatment and has COP defects removed therefrom is polished until the topmost surface has a predetermined oxygen concentration.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication de tranche de silicium par lequel une concentration en oxygène d'une couche de surface peut être maintenue à un niveau prédéterminé ou plus, tout en favorisant plus efficacement la génération d'une couche exempte de défaut. La résistance mécanique de la couche de surface de tranche peut donc être améliorée par rapport à des produits recuits normaux, tout en assurant la zone exempte de défaut de type COP. Dans le procédé de fabrication d'une tranche de silicium à laquelle sont ajoutés de l'azote et de l'oxygène, un monocristal de silicium auquel est ajouté de l'azote est développé par une méthode de Czochralski, une tranche de monocristal de silicium est obtenue par découpage en tranches du monocristal de silicium développé, et un traitement thermique est appliqué à la tranche de monocristal de silicium découpé en tranches sous une atmosphère contenant au moins du gaz hydrogène ou un gaz inerte. Ensuite, la tranche de monocristal de silicium traitée thermiquement est polie, et une couche de surface qui est obtenue par traitement thermique et dont les défauts COP sont éliminés est polie jusqu'à ce que la surface la plus supérieure ait une concentration en oxygène prédéterminée.
(JA) 欠陥層の生成をより効果的に促しつつ、表層の酸素濃度を所定以上に保てるシリコンウェーハの製造方法を提供する。これにより、COPフリーゾーンを確保しながら通常のアニール品よりもウェーハ表層の強度を高めることができる。  窒素及び酸素が添加されたシリコンウェーハを製造する方法であって、チョクラルスキー法により窒素を添加したシリコン単結晶を育成し、該育成されたシリコン単結晶をスライスしてシリコン単結晶ウェーハとし、該スライスされたシリコン単結晶ウェーハに、水素ガス、不活性ガスのうちいずれか1以上を含む雰囲気下で熱処理を施した後、該熱処理を施したシリコン単結晶ウェーハに研磨を施し、前記熱処理により得られたCOP欠陥が排除された表層を、最表面が所定の酸素濃度となるまで研磨することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)