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1. (WO2010016532) STRUCTURE STRATIFIÉE DE SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DU GROUPE III ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LA STRUCTURE STRATIFIÉE DE SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DU GROUPE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/016532    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/063902
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 30.07.2009
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 21/203 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP) (Tous Sauf US).
HANAWA, Kenzo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SASAKI, Yasumasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HANAWA, Kenzo; (JP).
SASAKI, Yasumasa; (JP)
Mandataire : AOKI, Atsushi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-203429 06.08.2008 JP
Titre (EN) GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAMINATE STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAMINATE STRUCTURE
(FR) STRUCTURE STRATIFIÉE DE SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DU GROUPE III ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LA STRUCTURE STRATIFIÉE DE SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE DU GROUPE III
(JA) III族 窒化物半導体積層構造体およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a group III nitride semiconductor laminate structure that has a crystallinity which has been further improved by adopting a combination of an AlN crystal film seed layer having a high level of crystallinity with selective lateral growth.  The group III nitride semiconductor laminate structure comprises an AlN crystal film, with crystal grains at intervals of not less than 200 nm, as a seed layer provided on a C-plane sapphire substrate surface by sputtering.  The group III nitride semiconductor laminate structure further comprises an underlayer, an n-type semiconductor layer, a luminescent layer, and a p-type semiconductor layer each formed of a group III nitride semiconductor, stacked on the AlN crystal film.  The C-plane sapphire substrate surface has an area where the seed layer is present and an area where the seed layer is absent.  In addition or alternatively, the underlayer has an area where epitaxial growth is possible and an area where epitaxial growth is impossible.
(FR)L'invention porte sur une structure stratifiée de semi-conducteur au nitrure du groupe III qui présente une cristallinité ayant été davantage améliorée par adoption d'une combinaison d'une couche de germe de film de cristal AlN ayant un haut niveau de cristallinité avec une croissance latérale sélective. La structure stratifiée de semi-conducteur au nitrure du groupe III comprend un film de cristal AlN, ayant des grains cristallins à des intervalles non inférieurs à 200 nm, en tant que couche de germe formée sur une surface de substrat en saphir de plan C par pulvérisation. La structure stratifiée de semi-conducteur au nitrure du groupe III comprend en outre une sous-couche, une couche semi-conductrice du type n, une couche luminescente et une couche semi-conductrice du type p chacune formée d'un semi-conducteur au nitrure du groupe III, empilée sur le film de cristal AlN. La surface du substrat en saphir de plan C a une zone sur laquelle la couche de germe est présente et une zone où la couche de germe est absente. De plus ou en variante, la sous-couche a une zone dans laquelle une croissance épitaxiale est possible et une zone dans laquelle une croissance épitaxiale est impossible.
(JA) 本発明によれば、高度の結晶性を有するAlN結晶膜シード層と選択・横方向成長を組み合わせることに より、一層結晶性が向上したIII族窒化物半導体積層構造体を得ることができる。本発明のIII族 窒化物半導体積層構造体は、C面サファイア基板表面に、シード層として、結晶粒界の間隔が200nm 以上であるAlN結晶膜をスパッター法で形成させ、さらにIII族窒化物半導体からなる、下地層、 n型半導体層、発光層およびp型半導体層を積層してなるIII族窒化物半導体積層構造体であって、 該C面サファイア基板表面に、該シード層が存在する領域と存在しない領域が形成されている、および/ または該下地層に、エピ成長する領域とエピ成長できない領域が形成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)