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1. (WO2010016424) DISPOSITIF DE RÉACTION ET PROCÉDÉ DE RÉACTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/016424    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/063576
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 30.07.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.06.2010    
CIB :
B01J 19/24 (2006.01), B01J 3/00 (2006.01), B01J 3/02 (2006.01), B01J 19/00 (2006.01), B01J 19/10 (2006.01), C01B 13/14 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : YOUTEC CO., LTD. [JP/JP]; 956-1, Nishi-hirai, Nagareyama-shi, Chiba 2700156 (JP) (Tous Sauf US).
HONDA, Yuuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI, Mitsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA, Masafumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HONDA, Yuuji; (JP).
SUZUKI, Mitsuhiro; (JP).
TANAKA, Masafumi; (JP)
Mandataire : YANASE, Mutsuyasu; PATENT ATTORNEYS SHINPO, 8th Floor, UK Building, 1-32-14, Takadanobaba, Shinjuku-ku, Tokyo 1690075 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-204375 07.08.2008 JP
Titre (EN) REACTION DEVICE AND REACTION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE RÉACTION ET PROCÉDÉ DE RÉACTION
(JA) 反応装置及び反応方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a reaction device and a reaction method to efficiently oxidize or reduce a thin film at low temperature in a short time. The reaction device is provided with a chamber (3), a holding mechanism (2) disposed in the chamber and that holds a substrate (1) on which a thin film is formed, a pH adjusting mechanism that adjusts the pH of a polar solvent, a heating mechanism that heats the polar solvent, the pH of which has been adjusted by the pH adjusting mechanism, and a supply mechanism that supplies the polar solvent heated by the heating mechanism to the substrate held in the holding mechanism. The device is characterized in that an oxidation reaction or a reduction reaction for the thin film is induced by the polar solvent that has been heated and the pH of which has been adjusted.
(FR)L'invention concerne un dispositif et un procédé de réaction destinés à oxyder ou à réduire un film mince avec un bon rendement, à basse température et en un temps réduit. Le dispositif de réaction est muni d’une chambre (3), d’un mécanisme (2) de maintien disposé dans la chambre et servant à maintenir un substrat (1) sur lequel est formé un film mince, d’un mécanisme de réglage du pH qui règle le pH d’un solvant polaire, d’un mécanisme de chauffage qui chauffe le solvant polaire dont le pH a été réglé par le mécanisme de réglage du pH, et un mécanisme d’alimentation qui amène le solvant polaire chauffé par le mécanisme de chauffage jusqu’au substrat maintenu par le mécanisme de maintien. Le dispositif est caractérisé en ce qu’une réaction d’oxydation ou une réaction de réduction du film mince est induite par le solvant polaire qui a été chauffé et dont le pH a été réglé.
(JA) 低温で短時間かつ効率良く薄膜を酸化又は還元する反応装置及び反応方法を提供する。 本発明に係る反応装置は、チャンバー3と、前記チャンバー内に配置され、薄膜が形成された基板1を保持する保持機構2と、極性溶媒のpHを調製するpH調製機構と、前記pH調製機構によってpHが調製された極性溶媒を加熱する加熱機構と、前記加熱機構によって加熱された前記極性溶媒を前記保持機構に保持された前記基板に供給する供給機構と、を具備し、前記pHが調製され且つ加熱された極性溶媒によって前記薄膜に酸化反応又は還元反応を起こさせることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)