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1. (WO2010016415) DISPOSITIF DE PRODUCTION DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/016415    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/063497
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 29.07.2009
CIB :
C01B 33/03 (2006.01)
Déposants : TOKUYAMA CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Mikage-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7458648 (JP) (Tous Sauf US).
NOUMI, Hiroo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WAKAMATSU, Satoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YOSHIMATSU, Nobuaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NOUMI, Hiroo; (JP).
WAKAMATSU, Satoru; (JP).
YOSHIMATSU, Nobuaki; (JP)
Mandataire : ONO, Hisazumi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-203040 06.08.2008 JP
Titre (EN) SILICON PRODUCTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PRODUCTION DE SILICIUM
(JA) シリコン製造装置
Abrégé : front page image
(EN)A silicon production device employing a novel reaction-tube attachment structure is provided.  The device can conform to the thermal expansion of the reaction tube without the need of hanging the reaction tube.  The silicon production device (1) includes a reaction vessel main body (2) having a reaction part (3) therein, the reaction part being equipped with: a gas feed pipe (6) through which a chlorosilane compound and hydrogen are fed; a reaction tube (7) in which silicon is deposited; a high-frequency coil (11) which has been disposed on the outer side of the periphery of the reaction tube (7) and melts the silicon deposited; a heat insulation material (9) disposed between the reaction tube (7) and the high-frequency coil (11); and an intermediate wall (8) which has been disposed in a lower part of the reaction part (3) and supports the heat insulation material (9).  The reaction tube (7) is supported on the top of the intermediate wall (8).
(FR)L'invention porte sur un dispositif de production de silicium employant une nouvelle structure de fixation au tube de réaction. Le dispositif peut se conformer à la dilatation thermique du tube de réaction sans nécessiter la suspension du tube de réaction. Le dispositif (1) de production de silicium comprend un corps principal (2) de récipient de réaction dans lequel se trouve une partie de réaction (3), la partie de réaction étant équipée de : une conduite d'alimentation en gaz (6) à travers laquelle un composé chlorosilane et de l'hydrogène sont introduits ; un tube de réaction (7) dans lequel du silicium est déposé ; une bobine haute fréquence (11) qui a été disposée sur le côté extérieur de la périphérie du tube de réaction (7) et qui fait fondre le silicium déposé ; une matière d'isolation thermique (9) disposée entre le tube de réaction (7) et la bobine haute fréquence (11) ; et une paroi intermédiaire (8) qui a été disposée dans une partie inférieure de la partie de réaction (3) et supporte la matière d'isolation thermique (9). Le tube de réaction (7) est supporté sur la partie supérieure de la paroi intermédiaire (8).
(JA)本発明は、シリコン製造装置の反応管を吊り下げることなく、反応管の熱膨張に追従することができる新規な反応管の取付構造を提供する。シリコン製造装置1の反応容器本体2内の反応部3内には、クロロシラン類及び水素を供給するガス供給管6と、シリコンを析出させる反応管7と、該反応管7の外周側に配設され析出したシリコンを溶融する高周波コイル11と、反応管7と高周波コイル11との間に設けられた断熱材9と、反応部3の下部に設けられ断熱材9を支持する中間壁8とを備えている。該中間壁8の上面には、反応管7を支持させるようにした。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)