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1. (WO2010016414) DISPOSITIF DE GÉNÉRATION DE PLASMA MICRO-ONDE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA MICRO-ONDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/016414    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/063492
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 29.07.2009
CIB :
H05H 1/46 (2006.01), C23C 16/511 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP) (Tous Sauf US).
ISHIBASHI, Kiyotaka [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ISHIBASHI, Kiyotaka; (JP)
Mandataire : KIMURA, Mitsuru; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-205890 08.08.2008 JP
Titre (EN) MICROWAVE PLASMA GENERATION DEVICE AND MICROWAVE PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE GÉNÉRATION DE PLASMA MICRO-ONDE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA MICRO-ONDE
(JA) マイクロ波プラズマ発生装置およびマイクロ波プラズマ処理装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a plasma generation device (100) and a plasma processing device (1), in which formation of a gap near a slot plate (4a) can be prevented, deformation of a microwave transmission path is suppressed, and a uniform plasma density can be maintained. In the plasma generation device (100), constituent members, that is, a top plate (3), an elastic member (21), the slot plate (4a), a retardation plate (4b), and a cooling jacket (7) are provided adjacent to each other in this order from the top plate (3) side.  The slot plate (4a) is supported by an adapter (20) so as to be deformable in the plane direction thereof, and biased by the elastic member (21) supported by the top plate (3) in the direction in which the slot plate is brought into close contact with the retardation plate (4b).  The slot plate (4a) can be thermally expanded isotropically, and thus the deformation of the microwave transmission path due to the deformation of the slot plate (4a) is suppressed.  Even when the pressure in a processing container (2) is reduced, the close contact between the slot plate (4a) and the retardation plate (4b) is maintained.  The control of the plasma generation condition to a predetermined condition becomes easy, and consequently a uniform plasma density is maintained.
(FR)L'invention porte sur un dispositif de génération de plasma (100) et sur un dispositif de traitement au plasma (1), dans lequel une formation d'un espace à côté d'une plaque à fente (4a) peut être empêchée, une déformation d'un trajet de transmission micro-onde est supprimée, et une densité de plasma uniforme peut être maintenue. Dans le dispositif de génération de plasma (100), des éléments constitutifs, c'est-à-dire, une plaque supérieure (3), un élément élastique (21), la plaque à fente (4a), une plaque de retard (4b) et une chemise de refroidissement (7) sont disposés adjacents les uns aux autres dans cet ordre à partir du côté de plaque supérieure (3). La plaque à fente (4a) est supportée par un adaptateur (20) de façon à être déformable dans la direction de plan de celui-ci, et sollicitée par l'élément élastique (21) supporté par la plaque supérieure (3) dans la direction dans laquelle la plaque à fente est amenée en contact proche avec la plaque de retard (4b). La plaque à fente (4a) peut être dilatée thermiquement de manière isotrope, et ainsi la déformation du trajet de transmission micro-onde due à la déformation de la plaque à fente (4a) est supprimée. Même lorsque la pression dans un récipient de traitement (2) est réduite, le contact étroit entre la plaque à fente (4a) et la plaque de retard (4b) est maintenu. La commande de la condition de génération de plasma à une condition prédéterminée devient facile, et en conséquence une densité de plasma uniforme est maintenue.
(JA) スロット板(4a)近傍に間隙が生じるのを防止でき、マイクロ波の伝送経路の変形を抑制し、プラズマ密度の均一性を保つことのできるプラズマ発生装置(100)およびプラズマ処理装置(1)を提供する。  プラズマ発生装置(100)において、各構成部材は、天板(3)側から、天板(3)、弾性部材(21)、スロット板(4a)、遅波板(4b)、冷却ジャケット(7)、の順で隣接するように備えられる。スロット板(4a)は、アダプタ(20)によって面方向に変形可能に支持されており、かつ、天板(3)に支持された弾性部材(21)によって、遅波板(4b)に密着する方向に付勢されている。スロット板(4a)は等方的に熱膨張することができ、スロット板(4a)の変形によるマイクロ波の伝送経路の変形が抑制される。また、処理容器(2)内が減圧されても、スロット板(4a)と遅波板(4b)との間の密着性が保たれる。プラズマ発生条件を所定の条件に制御することが容易となり、プラズマ密度の均一性が保たれる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)