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1. (WO2010016350) COMPOSITION LIQUIDE D'ÉLIMINATION DE RÉSIDU ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/016350    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/062335
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 07.07.2009
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324 (JP) (Tous Sauf US).
KAMATA, Kyoko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA, Keiichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUNAGA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KAMATA, Kyoko; (JP).
TANAKA, Keiichi; (JP).
MATSUNAGA, Hiroshi; (JP)
Mandataire : OHTANI, Tamotsu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-201886 05.08.2008 JP
Titre (EN) RESIDUE REMOVING LIQUID COMPOSITION AND METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR ELEMENT USING SAME
(FR) COMPOSITION LIQUIDE D'ÉLIMINATION DE RÉSIDU ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT
(JA) 残渣剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の洗浄方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a residue removing liquid composition which can completely remove a resist residue and a residue derived from titanium (Ti), which remain after dry etching and ashing performed for formation of a via hole during a production process of a semiconductor substrate which has metal wiring composed of aluminum (Al) or an aluminum alloy, at a low temperature in a short time, without corroding members such as an interlayer insulating material and a wiring material.  Also disclosed is a method for cleaning a semiconductor element using the residue removing liquid composition. The residue removing liquid composition contains (A) ammonium fluoride, (B) methanesulfonic acid, (C) a compound having a carbon-carbon triple bond, (D) a water-soluble organic solvent and (E) water.  The contents of the components (A), (C), (D) and (E) in the residue removing liquid composition are respectively 0.005-2% by mass, 0.1-10% by mass, 60-75% by mass and 5-38% by mass, and the component (B) is contained in an amount of 0.9-1.5 times the (molar) amount of the component (A).
(FR)L'invention porte sur une composition liquide d'élimination de résidu qui peut éliminer complètement un résidu de réserve et un résidu issu de titane (Ti), qui restent après gravure au plasma et polissage humide réalisés pour la formation d'un trou d'interconnexion pendant un procédé de fabrication d'un substrat semi-conducteur qui a un câblage métallique composé d'aluminium (Al) ou d'un alliage d'aluminium, à une faible température dans un temps court, sans éléments corrosifs tels qu'un matériau isolant intercouche et un matériau de câblage. L'invention porte également sur un procédé de nettoyage d'un élément semi-conducteur utilisant la composition liquide d'élimination de résidu. La composition de liquide d'élimination de résidu contient (A) du fluorure d'ammonium, (B) de l'acide méthanesulfonique, (C) un composé ayant une triple liaison carbone-carbone, (D) un solvant organique soluble dans l'eau et (E) de l'eau. Les teneurs en composants (A), (C), (D) et (E) dans la composition liquide d'élimination de résidu sont respectivement de 0,005-2 % en masse, 0,1-10 % en masse, 60-75 % en masse et 5-38 % en masse, et le composé (B) est contenu dans une quantité de 0,9-1,5 fois la quantité (molaire) du composant (A).
(JA) アルミニウム(Al)又はアルミニウム合金からなる金属配線を有する半導体基板の製造工程において、ビアホールを形成するためにドライエッチング及びアッシングを行った後に残留するレジスト残渣及びチタン(Ti)由来残渣を低温、短時間で完全に除去でき、且つ層間絶縁材料や配線材料等の部材を腐食しない残渣剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の洗浄方法を提供する。該残渣剥離液組成物は、(A)フッ化アンモニウム、(B)メタンスルホン酸、(C)炭素-炭素三重結合を有する化合物、(D)水溶性有機溶剤、及び(E)水を含有する残渣剥離液組成物であって、該残渣剥離液組成物中の(A)、(C)、(D)及び(E)の含有量が各々0.005~2質量%、0.1~10質量%、60~75質量%及び5~38質量%であり、(B)が(A)に対して0.9~1.5倍量(モル比)含むものである組成物である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)