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1. (WO2010016206) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR SOUPLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/016206    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/003615
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 30.07.2009
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
HIRANO, Koichi; (US Seulement).
NAKATANI, Seiichi; (US Seulement).
OGAWA, Tatsuo; (US Seulement)
Inventeurs : HIRANO, Koichi; .
NAKATANI, Seiichi; .
OGAWA, Tatsuo;
Mandataire : TANAKA, Mitsuo; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-200768 04.08.2008 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR SOUPLE
(JA) フレキシブル半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for manufacturing a flexible semiconductor device.  The manufacturing method is characterized by comprising (i) a step of forming an insulating film on the upper surface of a resin film, (ii) a step of forming an extraction electrode pattern on the upper surface of the resin film, (iii) a step of forming a semiconductor layer on the insulating film in such a manner that the semiconductor layer is in contact with the extraction electrode pattern, and (iv) a step of forming a sealing resin layer on the upper surface of the resin film in such a manner that the sealing resin layer covers the semiconductor layer and the extraction electrode pattern, wherein at least one forming step among the above (i) to (iv) is performed by a printing method.  In the manufacturing method, various layers can be formed by a simple printing process without using a vacuum process, photolithography, or the like.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif semiconducteur souple, ledit procédé de fabrication étant caractérisé en ce qu’il comporte : (i) une étape consistant à former un film isolant sur la surface supérieure d’un film de résine, (ii) une étape consistant à former un motif d’électrode d’extraction sur la surface supérieure du film de résine, (iii) une étape consistant à former une couche de semiconducteur sur le film isolant de telle manière que la couche de semiconducteur soit en contact avec le motif d’électrode d’extraction et (iv) une étape consistant à former une couche de résine d’étanchéité sur la surface supérieure du film de résine de telle manière que la couche de résine d’étanchéité recouvre la couche de semiconducteur et le motif d’électrode d’extraction, au moins une étape de formation parmi les étapes (i) à (iv) susmentionnées étant réalisée par un procédé d’impression. Dans le présent procédé de fabrication, diverses couches peuvent être formées par un simple processus d’impression, sans faire appel à un processus sous vide, à une photolithographie ou à un processus similaire.
(JA) 本発明では、フレキシブル半導体装置を製造するための方法が提供される。本発明の製造方法は、(i)樹脂フィルムの上面に絶縁膜を形成する工程、(ii)樹脂フィルムの上面に取出し電極パターンを形成する工程、(iii)取出し電極パターンと接するように、絶縁膜の上に半導体層を形成する工程、ならびに(iv)半導体層および取出し電極パターンを覆うように、樹脂フィルムの上面に封止樹脂層を形成する工程を含んで成り、前記(i)~(iv)の少なくとも1つの形成工程を印刷法により行うことを特徴としている。かかる製造方法では、真空プロセスないしはフォトリソグラフィーなどを用いずに簡易な印刷プロセスでもって各種層を形成できる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)