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1. (WO2010016192) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/016192    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/003395
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 21.07.2009
CIB :
H03H 9/145 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (Tous Sauf US).
KIMURA, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KADOTA, Michio [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KIMURA, Tetsuya; (JP).
KADOTA, Michio; (JP)
Mandataire : MIYAZAKI, Chikara; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-205781 08.08.2008 JP
2008-325356 22.12.2008 JP
Titre (EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES
(JA) 弾性波装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an acoustic wave device having a small temperature coefficient of frequency (TCF), a small insertion loss, and a large electromechanical coupling coefficient and capable of increasing an electrode finger pitch. The acoustic wave device (1) comprises a piezoelectric body (10), an IDT electrode (30), and a dielectric layer (20) covering the IDT electrode (30).  The dielectric layer (20) has a temperature coefficient of frequency with a sign opposite to or equal to the sign of the temperature coefficient of frequency of the piezoelectric body (10) and having an absolute value smaller than the absolute value of the temperature coefficient of frequency of the piezoelectric body (10).  The IDT electrode (30) includes electrode fingers (31b, 32b) having a first electrode layer (21) and a second electrode layer (22).  The first electrode layer (21) is positioned inside a groove (10a).  The second electrode layer (22) is positioned above the upper end surface of the groove (10a).  A value of (ρ3 × C44)1/2 of the first electrode layer (21) is greater than a value of (ρ3 × C44)1/2 of the second electrode layer (22).
(FR)L'invention porte sur un dispositif à ondes acoustiques ayant un faible coefficient de température de fréquence (TCF), de faibles pertes d'insertion et un grand coefficient de couplage électromagnétique et capable d'augmenter un pas des doigts d'électrode. Le dispositif à ondes acoustiques (1) comprend un corps piézoélectrique (10), une électrode IDT (30) et une couche diélectrique (20) couvrant l'électrode IDT (30). La couche diélectrique (20) a un coefficient de température de fréquence dont le signe est opposé ou égal au signe du coefficient de température de fréquence du corps piézoélectrique (10) et ayant une valeur absolue inférieure à la valeur absolue du coefficient de température de fréquence du corps piézoélectrique (10). L'électrode IDT (30) comprend des doigts d'électrode (31b, 32b) comprenant une première couche d'électrode (21) et une seconde couche d'électrode (22). La première couche d'électrode (21) est positionnée à l'intérieur d'une rainure (10a). La seconde couche d'électrode (22) est positionnée au-dessus de la surface d'extrémité supérieure de la rainure (10a). Une valeur de (ρ3 × C44)1/2 de la première couche d'électrode (21) est supérieure à une valeur de (ρ3 × C44)1/2 de la seconde couche d'électrode (22).
(JA) 周波数温度係数(TCF)が小さく、挿入損失が少なく、電気機械結合係数が大きく、かつ電極指のピッチを大きくし得る弾性波装置を提供する。  弾性波装置1は、圧電体10と、IDT電極30と、IDT電極30を覆う誘電体層20とを備えている。誘電体層20は、圧電体10の周波数温度係数とは逆符号の周波数温度係数、または圧電体10の周波数温度係数と同符号であって、圧電体10の周波数温度係数の絶対値よりも小さな絶対値の周波数温度係数を有する。IDT電極30の電極指31b、32bは、第1の電極層21と、第2の電極層22とを有している。第1の電極層21は、溝10aの内部に位置している。第2の電極層22は、溝10aの上端面よりも上側に位置している。第1の電極層21の(ρ×C44)1/2は、第2の電極層22の(ρ×C44)1/2よりも大きい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)