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1. (WO2010015833) SUBSTRATS TRAITÉS EN SURFACE POUR TRANSISTORS À COUCHES MINCES ORGANIQUES À GRILLE SUPÉRIEURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/015833    N° de la demande internationale :    PCT/GB2009/001941
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 07.08.2009
CIB :
H01L 51/05 (2006.01)
Déposants : CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED [GB/GB]; Building 2020 Cambourne Business Park Cambridgeshire CB23 6DW (GB) (Tous Sauf US).
KUGLER, Thomas [DE/GB]; (GB) (US Seulement).
BURROUGHES, Jeremy [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
CARTER, Julian [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
HALLS, Jonathan [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
NEWSOME, Christopher [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : KUGLER, Thomas; (GB).
BURROUGHES, Jeremy; (GB).
CARTER, Julian; (GB).
HALLS, Jonathan; (GB).
NEWSOME, Christopher; (GB)
Mandataire : KAY, Christopher; IP Department Cambridge Display Technology Ltd Building 2020 Cambourne Business Park Cambridgeshire CB23 6DW (GB)
Données relatives à la priorité :
0814534.4 08.08.2008 GB
Titre (EN) SURFACE TREATED SUBSTRATES FOR TOP GATE ORGANIC THIN FILM TRANSISTORS
(FR) SUBSTRATS TRAITÉS EN SURFACE POUR TRANSISTORS À COUCHES MINCES ORGANIQUES À GRILLE SUPÉRIEURE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a top gate transistor comprising the steps of providing a substrate carrying source and drain electrodes defining a channel region therebetween; treating at least part of the surface of the channel region to reduce its polarity; and depositing a semiconductor layer in the channel.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d'un transistor à grille supérieure qui comporte les étapes consistant à préparer un substrat portant des électrodes de source et de drain définissant une région de canal entre elles; à traiter au moins une partie de la surface de la région de canal pour réduire sa polarité, et à déposer une couche de semi-conducteur dans le canal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)