WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010015789) CERAMIQUE SEMI-CONDUCTRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/015789    N° de la demande internationale :    PCT/FR2009/051573
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 07.08.2009
CIB :
C04B 35/117 (2006.01), C04B 35/185 (2006.01), C04B 35/581 (2006.01), C04B 35/587 (2006.01), C04B 35/596 (2006.01), H01T 13/00 (2006.01), H01T 13/20 (2006.01), H01T 13/38 (2006.01)
Déposants : DRAZENOVIC, Béatrice [FR/FR]; (FR)
Inventeurs : DRAZENOVIC, Béatrice; (FR)
Mandataire : LEBKIRI, Alexandre; (FR)
Données relatives à la priorité :
0855483 08.08.2008 FR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR CERAMIC
(FR) CERAMIQUE SEMI-CONDUCTRICE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a process for fabricating a semiconductor ceramic comprising 10 to 30% by volume of a conducting phase based on MoSi2 particles and 70 to 90% by volume of a particulate insulating phase, the size of MoSi2 particles being between 15 nm and 5 µm and the distance between two adjacent MoSi2 particles being between 0.1 and 6 µm, the process comprising: (1) preparation of a uniform suspension of a conducting phase based on MoSi2 particles in order to obtain a first slip; (2) preparation of a uniform suspension of a particulate insulating phase, in order to obtain a second slip; (3) mixing of the first and second slips, in order to obtain a mixture of the two phases in the desired proportions; (4) drying and screening of the composition; and (5) sintering of the composition. The invention also relates to the semiconductor ceramic obtained by this process.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une céramique semi-conductrice comportant 10 à 30 % en volume d'une phase conductrice à base de particules de MoSi2, et 70 à 90 % en volume d'une phase isolante particulaire, la taille des particules de MoSi2 étant comprise entre 15 nm et 5 μm, et la distance entre deux particules voisines de MoSi2 étant comprise entre 0,1 et 6 μm, le procédé comprenant : la préparation (1) d'une suspension homogène d'une phase conductrice à base de particules de MoSi2 pour obtenir une première barbotine; la préparation (2) d'une suspension homogène d'une phase isolante particulaire pour obtenir une deuxième barbotine; le mélange (3) des première et deuxième barbotines pour obtenir un mélange des deux phases dans les proportions recherchées; le séchage et le tamisage (4) de la composition; le frittage (5) de la composition; l'invention concerne également la céramique semi-conductrice obtenue par ce procédé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)