WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2010015678) AMÉLIORATION DES CONNEXIONS ENTRE LES PERLES DE SOUDURE DANS DES DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/015678    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/060213
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 06.08.2009
CIB :
H01L 23/532 (2006.01), H01L 23/485 (2006.01), H01L 21/3105 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504 (US) (Tous Sauf US).
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU (GB) (MG only).
STAMPER, Anthony [US/US]; (US) (US Seulement).
ANDERSON, Felix, Patrick [US/US]; (US) (US Seulement).
MCDEVITT, Thomas, Leddy [US/US]; (US) (US Seulement).
EDELSTEIN, Daniel [US/US]; (US) (US Seulement).
COTE, William [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : STAMPER, Anthony; (US).
ANDERSON, Felix, Patrick; (US).
MCDEVITT, Thomas, Leddy; (US).
EDELSTEIN, Daniel; (US).
COTE, William; (US)
Mandataire : LING, Christopher, John; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester Hampshire SO21 2JN (GB)
Données relatives à la priorité :
12/187,646 07.08.2008 US
Titre (EN) IMPROVING SOLDER BUMP CONNECTIONS IN SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) AMÉLIORATION DES CONNEXIONS ENTRE LES PERLES DE SOUDURE DANS DES DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)Structures with improved solder bump connections and methods of fabricating such structures are provided herein. The structure includes a trench formed in a dielectric layer which has at least a portion (12) thereof devoid of a fluorine boundary layer. The structure further includes a copper wire (20) in the trench having at least a bottom portion thereof in contact with the non- fluoride boundary layer (12) of the trench. A lead free solder bump (34) is in electrical contact with the copper wire (20).
(FR)L'invention concerne des structures présentant des connexions améliorées entre les perles de soudure et des procédés permettant de fabriquer ces structures. La structure comprend une tranchée ménagée dans une couche diélectrique présentant une portion dépourvue d'une couche limite de fluorure. La structure comprend également un câble en cuivre placé dans la tranchée présentant au moins une portion inférieure en contact avec la couche limite sans fluorure de la tranchée. Une perle de soudure exempte de plomb est en contact électrique avec le câble en cuivre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)