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1. (WO2010015571) PAIRE DE CONTACTS ÉLECTRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/015571    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/059926
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 31.07.2009
CIB :
H01R 13/03 (2006.01), H05K 3/30 (2006.01), H01R 12/58 (2011.01), C25D 3/30 (2006.01)
Déposants : TYCO ELECTRONICS AMP GMBH [DE/DE]; Amperestrasse 12-14 64625 Bensheim (DE) (Tous Sauf US).
SCHMIDT, Helge [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LEIDNER, Michael [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SCHMIDT, Helge; (DE).
LEIDNER, Michael; (DE)
Mandataire : HEINZ-SCHAEFER, Marion; (GB)
Données relatives à la priorité :
102008036090.2 04.08.2008 DE
Titre (EN) ELECTRICAL CONTACT PAIR
(FR) PAIRE DE CONTACTS ÉLECTRIQUES
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to an electrical contact pair (1), comprising an electrically conductive contact element (2) and a mating-contact element (3) which is likewise electrically conductive and which may be brought into electrical contact with the contact element (2) at least one contact point (C), wherein the contact element (2) and/or the mating-contact element (3) is/are equipped, at least at the contact point (C), with a tin- containing material, and a predetermined normal force (N) is provided, by means of which the contact element (2) and the mating-contact element (3) are compressed together in operation. In order to increase the reliability of tin-containing electrical contact pairs, the surfaces of the contact element (2) and/or the mating-contact element (3) are provided, at the contact point (C), with at least one curvature radius (Rl, R2, R3, R4), wherein the sum of the reciprocals of the curvature radii (Rl, R2, R3, R4) multiplied by the third root of the normal force (N) acting between the contact element (2) and mating-contact element (3) is less than 3.3.
(FR)La présente invention porte sur une paire de contacts électriques (1), comprenant un élément de contact électroconducteur (2) et un élément de contact homologue (3) qui est également électroconducteur et qui peut être amené en contact électrique avec l'élément de contact (2) en au moins un point de contact (C), l'élément de contact (2) et/ou l'élément de contact homologue (3) étant équipés, au moins au niveau du point de contact (C), d'un matériau contenant de l'étain, et une force normale prédéterminée (N) étant appliquée, au moyen de laquelle l'élément de contact (2) et l'élément de contact homologue (3) sont pressés l'un contre l'autre en fonctionnement. Afin d'augmenter la fiabilité de paires de contacts électriques contenant de l'étain, les surfaces de l'élément de contact (2) et/ou de l'élément de contact homologue (3) sont dotées, au niveau du point de contact (C), d'au moins un rayon de courbure (R1, R2, R3, R4), la somme des inverses des rayons de courbure (R1, R2, R3, R4) multipliée par la racine cubique de la force normale (N) exercée entre l'élément de contact (2) et l'élément de contact homologue (3) étant inférieure à 3,3.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)