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1. (WO2010015470) PROCÉDÉ D'EXÉCUTION D'IMPLANTATIONS MULTIPLES DANS UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/015470    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/058557
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 07.07.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.01.2010    
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Chemin des Franques Parc Technologique des Fontaines F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25 rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" F-75015 Paris (FR) (Tous Sauf US).
SIGNAMARCHEIX, Thomas [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
DEGUET, Chrystel [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
MAZEN, Frédéric [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : SIGNAMARCHEIX, Thomas; (FR).
DEGUET, Chrystel; (FR).
MAZEN, Frédéric; (FR)
Mandataire : ILGART, Jean-Christophe; Brevalex 95, rue d'Amsterdam F-75378 Paris Cedex 8 (FR).
SIMONNET, Christine; Brevalex 95, rue d'Amsterdam F-75378 Paris Cedex 8 (FR)
Données relatives à la priorité :
08 55439 06.08.2008 FR
Titre (EN) METHOD OF MAKING MULTIPLE IMPLANTATIONS IN A SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ D'EXÉCUTION D'IMPLANTATIONS MULTIPLES DANS UN SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method of implanting atoms and/or ions into a substrate, comprising: a) a first implantation of ions or atoms at a first depth in the substrate, in order to form a first implantation plane, b) at least one second implantation of ions or atoms at a second depth in the substrate, which is different from the first depth, in order to form at least one second implantation plane.
(FR)L'invention concerne un procédé d'implantation d'atomes et/ou d'ions dans un substrat qui comporte : a) une première implantation d'ions ou d'atomes à une première profondeur dans le substrat, afin de former un premier plan d'implantation, b) au moins une seconde implantation d'ions ou d'atomes à une seconde profondeur dans le substrat, qui est différente de la première profondeur, afin de former au moins un second plan d'implantation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)