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1. (WO2010015106) STRUCTURE DE DEL EN COURANT ALTERNATIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/015106    N° de la demande internationale :    PCT/CN2008/001432
Date de publication : 11.02.2010 Date de dépôt international : 06.08.2008
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 27/15 (2006.01), H01L 29/16 (2006.01)
Déposants : HELIO OPTOELECTRONICS CORPORATION [CN/CN]; No.276, Daming Road Jhudong Township Hsinchu County Taiwan (CN) (Tous Sauf US).
CHEN, Minghung [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WEN, Shihyi [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
CHEN, Jingyi [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : CHEN, Minghung; (CN).
WEN, Shihyi; (CN).
CHEN, Jingyi; (CN)
Mandataire : BEIJING ZHONGYUAN HUAHE INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO., LTD.; Room 909, Huibin Building No.8 Beichendong Street Chaoyang District Beijing 100101 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) AN AC LED STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE DEL EN COURANT ALTERNATIF
(ZH) 交流发光二极管结构
Abrégé : front page image
(EN)An AC light-emitting diode(LED) structure is provided. It includes: insulated substrate, LED group, the first metal layer and the second metal layer. The LED group has the first LED and the second LED which are insulated from each other and formed on the substrate separately. The first metal layer and the second metal layer, which are electrically connected between the first LED and the second LED, are respectively formed with the first shape distribution to make the LEDs inversly parallel connect to each other. Through the first metal layer and the second metal layer which are formed with the first shape distribution on the first LED and the second LED, can the LED group connect to other LEDs in series or parallel on demand, so that the operations of high current density or high voltage can be endured.
(FR)L'invention porte sur une structure de diode électroluminescente (DEL) en courant alternatif (CA). Elle comprend : un substrat isolé, un groupe de DEL, une première couche métallique et une seconde couche métallique. Le groupe de DEL comprend une première DEL et une seconde DEL qui sont isolées l'une de l'autre et formées sur le substrat séparément. La première couche métallique et la seconde couche métallique, qui sont électriquement connectées entre la première DEL et la seconde DEL, sont respectivement formées avec une première distribution de forme pour amener les DEL à être connectées en antiparallèle l'une à l'autre. Par l'intermédiaire de la première couche métallique et de la seconde couche métallique qui sont formées avec la première distribution de forme sur la première DEL et la seconde DEL, le groupe de DEL peut se connecter à d'autres DEL en série ou en parallèle à la demande, de telle sorte que les opérations à densité de courant élevée ou à haute tension peuvent être supportées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)