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1. (WO2010014985) TRANSFORMATEUR À FORT FACTEUR Q INSTALLÉ AU MOINS EN PARTIE DANS UN SUBSTRAT NON SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/014985    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/052580
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 03.08.2009
CIB :
H01L 23/48 (2006.01), H01L 23/495 (2006.01), H01L 23/50 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 (US) (Tous Sauf US).
TANG, Yiwu [CN/US]; (US) (US Seulement).
JIN, Zhang [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : TANG, Yiwu; (US).
JIN, Zhang; (US)
Mandataire : XU, Jiayu; (US)
Données relatives à la priorité :
12/185,044 01.08.2008 US
Titre (EN) HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) TRANSFORMATEUR À FORT FACTEUR Q INSTALLÉ AU MOINS EN PARTIE DANS UN SUBSTRAT NON SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)An assembly involves an integrated circuit die that is bonded, e.g., flip-chip bonded, to a non-semiconductor substrate by a plurality of low-resistance microbumps. In one novel aspect, at least a part of a novel high-frequency transformer is disposed in the non-semiconductor substrate where the non-semiconductor substrate is the substrate of a ball grid array (BGA) integrated circuit package. At least one of the low-resistance microbumps connects the part of the transformer in the substrate to a circuit in the integrated circuit die. At two gigahertz, the novel transformer has a coupling coefficient k of at least at least 0.4 and also has a transformer quality factor Q of at least ten. The novel transformer structure sees use in coupling differential outputs of a mixer to a single-ended input of a driver amplifier in a transmit chain of an RF transceiver within a cellular telephone.
(FR)Ensemble composé d'une microplaquette de circuit intégré qui est connectée, par exemple selon la technique de la puce retournée (flip-chip), à un substrat non semi-conducteur par plusieurs microbosses à faible résistance. Selon un aspect novateur, au moins une partie de ce transformateur novateur à haute fréquence est installée dans le substrat non semi-conducteur, ce dernier étant un boîtier de circuit intégré du type boîtier à billes (BGA). Au moins l'une des microbosses à faible résistance connecte la partie du transformateur placée dans le substrat à un circuit de la microplaquette de circuit intégré. À 2 GHz, ce transformateur novateur a un coefficient de couplage k d'au moins 0,4 ainsi qu'un facteur de qualité Q du transformateur d'au moins dix. Cette structure novatrice de transformateur peut être utilisée pour le couplage des sorties différentielles d'un mélangeur à l'entrée asymétrique de l'étage amplificateur dans la chaîne d'émission d'un émetteur-récepteur RF se trouvant à l'intérieur d'un téléphone cellulaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)