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1. (WO2010014626) NOUVEAUX PRÉCURSEURS DE SILICIUM POUR FABRIQUER DES FILMS À CONSTANTE DIÉLECTRIQUE ULTRA-FAIBLE À PROPRIÉTÉS MÉCANIQUES ÉLEVÉES PAR LE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTÉ PAR PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/014626    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/051983
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 28.07.2009
CIB :
H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
YIM, Kang, Sub [KR/US]; (US) (US Seulement).
DEMOS, Alexandros, T. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : YIM, Kang, Sub; (US).
DEMOS, Alexandros, T.; (US)
Mandataire : PATTERSON, B., Todd; (US)
Données relatives à la priorité :
12/183,915 31.07.2008 US
Titre (EN) NOVEL SILICON PRECURSORS TO MAKE ULTRA LOW-K FILMS WITH HIGH MECHANICAL PROPERTIES BY PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
(FR) NOUVEAUX PRÉCURSEURS DE SILICIUM POUR FABRIQUER DES FILMS À CONSTANTE DIÉLECTRIQUE ULTRA-FAIBLE À PROPRIÉTÉS MÉCANIQUES ÉLEVÉES PAR LE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTÉ PAR PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)A method for depositing a low dielectric constant film on a substrate is provided. The low dielectric constant film is deposited by a process comprising reacting one or more organosilicon compounds and a porogen and then post-treating the film to create pores in the film. The one or more organosilicon compounds include compounds that have the general structure Si-CX-Si or -Si-O-(CH2)n-O-Si-. Low dielectric constant films provided herein include films that include Si-CX-Si bonds both before and after the post-treatment of the films. The low dielectric constant films have good mechanical and adhesion properties, and a desirable dielectric constant.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant le dépôt d’un film à faible constante diélectrique sur un substrat. Le film à faible constante diélectrique est déposé par un procédé comprenant la réaction d’un ou de plusieurs composés d’organosilicium  et un agent porogène suivie d’un post-traitement du film pour créer des pores dans le film. L’un ou les composés d’organosilicium comportent des composés qui ont une structure générale Si-CX-Si ou -Si-O-(CH2)n-O-Si-. Les films à faible constante diélectrique selon la présente invention comprennent des films comportant des liaisons Si-CX-Si avant et après le post-traitement des films. Les films à faible constante diélectrique présentent de bonnes propriétés mécaniques et d’adhésion, et une constante diélectrique souhaitable.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)