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1. (WO2010014380) RÉGLAGE POUR TRAITEMENT FONDÉ SUR LA MÉTROLOGIE À L'INTÉRIEUR D'UNE SÉQUENCE DANS LE CADRE DE LA FORMATION ADAPTATIVE DE MOTIFS DOUBLES À AUTO-ALIGNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/014380    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/050264
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 10.07.2009
CIB :
H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
DAVIS, Matthew, F. [US/US]; (US) (US Seulement).
LILL, Thorsten, B. [DE/US]; (US) (US Seulement).
LIAN, Lei [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DAVIS, Matthew, F.; (US).
LILL, Thorsten, B.; (US).
LIAN, Lei; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester, J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, CA 94085-4040 (US)
Données relatives à la priorité :
12/172,106 11.07.2008 US
Titre (EN) WITHIN-SEQUENCE METROLOGY BASED PROCESS TUNING FOR ADAPTIVE SELF-ALIGNED DOUBLE PATTERNING
(FR) RÉGLAGE POUR TRAITEMENT FONDÉ SUR LA MÉTROLOGIE À L'INTÉRIEUR D'UNE SÉQUENCE DANS LE CADRE DE LA FORMATION ADAPTATIVE DE MOTIFS DOUBLES À AUTO-ALIGNEMENT
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus for adaptive self-aligned dual patterning and method thereof. The method includes providing a substrate to a processing platform configured to perform an etch process and a deposition process and a metrology unit configured for in-vacuo critical dimension (CD) measurement. The in-vacuo CD measurement is utilized for feedforward adaptive control of the process sequence processing platform or for feedback and feedforward adaptive control of chamber process parameters. In one aspect, a first layer of a multi-layered masking stack is etched to form a template mask, an in-vacuo CD measurement of the template mask is made, and a spacer is formed, adjacent to the template mask, to a width that is dependent on the CD measurement of the template mask.
(FR)L'invention concerne un appareil pour la formation adaptative de motifs doubles à auto-alignement, ainsi qu'un procédé associé. Le procédé comprend la fourniture d'un substrat à une plate-forme de traitement configurée pour exécuter un traitement de gravure et un traitement de dépôt, ainsi qu'une unité de métrologie configurée pour procéder à une mesure de dimension critique (DC) sous vide. La mesure de DC sous vide est utilisée dans le cadre d'une commande prédictive adaptative de la plate-forme de traitement de la séquence de traitement ou dans le cadre d'une commande prédictive ou rétroactive des paramètres de traitement d'une chambre. Dans un aspect de l'invention, une première couche d'un empilement de masque multicouche est gravée pour former un masque modèle, une mesure de DC sous vide dudit masque modèle est réalisée, et un espaceur est formé, adjacent au masque modèle, selon une largeur dépendant de la mesure de DC du masque modèle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)