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1. (WO2010014355) VARACTORS AVEC PLAGES DE SYNTONISATION ACCRUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/014355    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/049713
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 06.07.2009
CIB :
H01L 29/93 (2006.01)
Déposants : ALTERA CORPORATION [US/US]; 101 Innovation Drive San Jose, CA 95134 (US) (Tous Sauf US).
RATNAKUMAR, Albert [US/US]; (US) (US Seulement).
XIANG, Qi [CN/US]; (US) (US Seulement).
TUNG, Jeffrey, Xiaoqi [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RATNAKUMAR, Albert; (US).
XIANG, Qi; (US).
TUNG, Jeffrey, Xiaoqi; (US)
Mandataire : TREYZ, George, Victor; (US)
Données relatives à la priorité :
12/181,309 28.07.2008 US
Titre (EN) VARACTORS WITH ENHANCED TUNING RANGES
(FR) VARACTORS AVEC PLAGES DE SYNTONISATION ACCRUES
Abrégé : front page image
(EN)A varactor may have a first terminal connected to a gate. The gate may be formed from a p-type polysilicon gate conductor. The gate may also have a gate insulator formed from a layer of insulator such as silicon oxide. The gate insulator may be located between the gate conductor and a body region. Source and drain contact regions may be formed in a silicon body region. The body region and the source and drain may be doped with n-type dopant. The varactor may have a second terminal connected to the n-type source and drain. A control voltage may be used to adjust the level of capacitance produced by the varactor between the first and second terminals. A positive control voltage may produce a larger capacitance than a negative control voltage. Application of the negative control voltage may produce a depletion layer in the p+ polysilicon gate layer.
(FR)L’invention concerne un varactor pouvant posséder une première borne connectée à une grille. La grille peut être faite d’un conducteur de grille polysilicium de type p. La grille peut également comporter un isolateur de grille formé d’une couche d’isolant comme de l’oxyde de silicium. L’isolateur de grille peut se situer entre le conducteur de grille et une région corps. La région corps ainsi que la source et le drain peuvent être dopés à l’aide d’un dopant de type n. Le varactor peut posséder une seconde borne connectée à la source et au drain de type n. Une tension de commande peut être utilisée pour ajuster le niveau de capacitance produit par le varactor entre les première et seconde bornes. Une tension de commande positive peut produire une capacitance plus élevée qu’une tension de commande négative. L’application d’une tension de commande négative peut entraîner la formation d’une couche d’appauvrissement dans la couche de grille en polysilicium p+.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)