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1. (WO2010014281) SEMICONDUCTEUR SUR DISPOSITIFS ISOLANTS CONTENANT UNE CHARGE PERMANENTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/014281    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/041906
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 28.04.2009
CIB :
H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : MAXPOWER SEMICONDUCTOR INC. [US/US]; 675 Regas Drive Campbell, CA 95008 (US) (Tous Sauf US).
PAUL, Amit [CA/US]; (US) (US Seulement).
DARWISH, Mohamed, N. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PAUL, Amit; (US).
DARWISH, Mohamed, N.; (US)
Mandataire : GROOVER, Robert, O.; Groover & Associates P.O. Box 802889 Dallas, TX 75380 (US)
Données relatives à la priorité :
61/084,639 30.07.2008 US
61/084,642 30.07.2008 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR ON INSULATOR DEVICES CONTAINING PERMANENT CHARGE
(FR) SEMICONDUCTEUR SUR DISPOSITIFS ISOLANTS CONTENANT UNE CHARGE PERMANENTE
Abrégé : front page image
(EN)A lateral SOI device may include a semiconductor channel region connected to a drain region by a drift region. An insulation region on the drift layer is positioned between the channel region and the drain region. Permanent charges may be embedded in the insulation region sufficient to cause inversion in the insulation region. The semiconductor layer also overlies a global insulation layer, and permanent charges are preferably embedded in at least selected areas of this insulation layer too.
(FR)L'invention porte sur un dispositif latéral de SOI pouvant comporter: une région de canal de semi-conducteur connectée à une région drain par une région de dérive; et une région isolante disposée sur la couche de dérive et placée entre la région de canal et la région drain. Des charges permanentes peuvent être incorporées à la région isolante en quantité suffisante pour y causer l'inversion. La couche de semi-conducteur recouvre également une couche isolante globale, et les charges permanentes sont de préférence incorporées à au moins certaines zones sélectionnées de ladite couche isolante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)