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1. (WO2010014246) ACCROISSEMENT DES PERFORMANCES DE TRANSISTORS PMOS ET NMOS BASÉ SUR L'UTILISATION D'UN MATÉRIAU DE SILICIUM/CARBONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/014246    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/004417
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 31.07.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.05.2010    
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : GLOBALFOUNDRIES INC.; Maple Corporate Services Limited P.O. Box 309 Ugland House Grand Cayman KY1-1104 (KY) (Tous Sauf US).
HOENTSCHEL, Jan [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
PAPAGEORGIOU, Vassilios [US/US]; (US) (US Seulement).
HANNON, Belinda [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HOENTSCHEL, Jan; (DE).
PAPAGEORGIOU, Vassilios; (US).
HANNON, Belinda; (US)
Mandataire : PFAU, Anton, K.; Grϋnecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser Leopoldstrasse 4 80802 Mϋnchen (DE)
Données relatives à la priorité :
12/473,726 28.05.2009 US
10 2008 035 816.9 31.07.2008 DE
Titre (EN) PERFORMANCE ENHANCEMENT IN PMOS AND NMOS TRANSISTORS ON THE BASIS OF SILICON/CARBON MATERIAL
(FR) ACCROISSEMENT DES PERFORMANCES DE TRANSISTORS PMOS ET NMOS BASÉ SUR L'UTILISATION D'UN MATÉRIAU DE SILICIUM/CARBONE
Abrégé : front page image
(EN)A silicon/germanium material and a silicon/carbon material may be provided in transistors of different conductivity type (150P, 150N) on the basis of an appropriate manufacturing regime without unduly contributing to overall process complexity. Furthermore, appropriate implantation species may be provided through exposed surface areas of the cavities (103P, 103N) prior to forming the corresponding strained semiconductor alloy (153), thereby additionally contributing to enhanced overall transistor performance. In other embodiments a silicon/carbon material may be formed in a P-channel transistor (150P) and an N-channel transistor (150N), while the corresponding tensile strain component may be overcompensated for by means of a stress memorization technique in the P-channel transistor. Thus, the advantageous effects of the carbon species, such as enhancing overall dopant profile of P-channel transistors, may be combined with an efficient strain component while enhanced overall process uniformity may also be accomplished.
(FR)On peut utiliser des matériaux de silicium/germanium et de silicium/carbone dans des transistors de différent type de conductivité (150P, 150N) en recourant à un régime de fabrication approprié et cela sans contribuer indument à la complexité générale du procédé. En outre, on peut utiliser des espèces d'implantation appropriée dans les zones superficielles exposées des cavités (103P, 103N), avant de former l'alliage de semi-conducteur étiré (153), ce qui contribue de plus à améliorer les performance générales du transistor. Dans d'autres exécutions un matériau de silicium/carbone peut être formé dans un transistor à canal P (150P) et dans un transistor à canal N (150N), tandis que le composant étiré correspondant peut être surcompensé au moyen d'une technique de mémorisation des contraintes dans un transistor à canal P. Ainsi, les effets avantageux des espèces de carbone, tels que l'amélioration générale du profil des dopants des transistors à canal P, peuvent être combinés avec un composant étiré efficace tout en obtenant une amélioration de l'uniformité générale du processus.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)