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1. (WO2010014138) CAPTEUR D'IMAGE À MULTIPLES COUCHES DE DÉTECTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/014138    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/004051
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 13.07.2009
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : EASTMAN KODAK COMPANY [US/US]; 343 State Street Rochester, NY 14650-2201 (US) (Tous Sauf US).
TIVARUS, Cristian, Alexandru [RO/US]; (US) (US Seulement).
MCCARTEN, John, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
SUMMA, Joseph, R. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : TIVARUS, Cristian, Alexandru; (US).
MCCARTEN, John, P.; (US).
SUMMA, Joseph, R.; (US)
Représentant
commun :
EASTMAN KODAK COMPANY; 343 State Street Rochester, NY 14650-2201 (US)
Données relatives à la priorité :
12/184,314 01.08.2008 US
Titre (EN) IMAGE SENSOR HAVING MULTIPLE SENSING LAYERS
(FR) CAPTEUR D'IMAGE À MULTIPLES COUCHES DE DÉTECTION
Abrégé : front page image
(EN)An image sensor includes a first sensor layer (101) having a first array of pixels and a second sensor (102) layer having a second array of pixels. Each pixel of the first and second arrays has a photodetector (140) for collecting charge in response to incident light, a charge-to- voltage conversion mechanism (144), and a transfer gate (142) for selectively transferring charge from the photodetector to the charge- to- voltage mechanism. The first and second sensor layers each have a thickness to collect light with a first and second preselected ranges of wavelengths, respectively. A circuit layer (120) is situated below the first sensor layer and has support circuitry (122) for the pixels of the first and second sensor layers, and interlayer connectors (130) are between the pixels of the first and second layers and the support circuitry.
(FR)L'invention porte sur un capteur d'image qui comprend une première couche de détection (101) ayant une première matrice de pixels et une seconde couche de détection (102) ayant une seconde matrice de pixels. Chaque pixel des première et seconde matrices possède un détecteur optique (140) pour capter une charge en réponse à une lumière incidente, un mécanisme de conversion charge-tension (144) et une porte de transfert (142) pour transférer de manière sélective une charge du détecteur optique au mécanisme charge-tension. Les première et seconde couches de détection ont chacune une épaisseur pour capter de la lumière dans des première et seconde plages de longueurs d'onde présélectionnées, respectivement. Une couche de circuit (120) est située au-dessous de la première couche de détection et présente un circuit de support (122) pour les pixels des première et seconde couches de détection, et des connecteurs de couche intermédiaire (130) se trouvent entre les pixels des première et seconde couches et le circuit de support.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)