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1. (WO2010014058) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À COUCHE MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/014058    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/009182
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 30.07.2008
CIB :
H01L 21/335 (2006.01)
Déposants : UNITED SOLAR OVONIC LLC [US/US]; 3800 Lapeer Road Auburn Hills, MI 48326 (US) (Tous Sauf US).
CANNELLA, Vincent [US/US]; (US) (US Seulement).
UZONI, George [US/US]; (US) (US Seulement).
DOTTER, Buddie [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CANNELLA, Vincent; (US).
UZONI, George; (US).
DOTTER, Buddie; (US)
Mandataire : KRIEGER, Frederick, A.; Energy Conversion Devices, Inc., 2956 Waterview Drive, Rochester Hills, MI 48309 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SYSTEM AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM ELECTRICAL DEVICES
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À COUCHE MINCE
Abrégé : front page image
(EN)A system for manufacturing a thin film electrical device is provided in accordance with an exemplary embodiment. The system includes a chamber and a gas gate. The chamber includes accumulating apparatus therein configured for gathering a portion of the substrate within the chamber. The gas gate provides fluid communication between a pressure region of the chamber and a second pressure region.
(FR)Selon un mode de réalisation à titre d'exemple, l'invention porte sur un système de fabrication d'un dispositif électrique à couche mince. Le système comprend une chambre et une porte de gaz. La chambre renferme un appareil d'accumulation, configuré pour collecter une partie du substrat dans la chambre. La porte de gaz assure une communication fluidique entre une zone de pression de la chambre et une seconde zone de pression.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)