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1. (WO2010014028) PLAQUE CRISTALLINE, BARRE ORTHOGONALE, COMPOSANT UTILISÉ POUR FABRIQUER DES MODULES THERMOÉLECTRIQUES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PLAQUE CRISTALLINE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/014028    N° de la demande internationale :    PCT/RU2009/000320
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 30.06.2009
CIB :
H01L 35/18 (2006.01), H01L 35/34 (2006.01)
Déposants : CRYSTAL, LTD [RU/RU]; ul. Stantsionnaya, 45 B Korolev Moskovskaya obl., 141060 (RU) (Tous Sauf US).
RYABININ, Denis Gennadievich [RU/RU]; (RU) (US Seulement).
PONOMAREV, Vladimir Fedorovich [RU/RU]; (RU) (US Seulement)
Inventeurs : RYABININ, Denis Gennadievich; (RU).
PONOMAREV, Vladimir Fedorovich; (RU)
Mandataire : SKOMOROKHOVA, Tamara Sergeevna; ul. Novozavodskaya, 2/6-7-66 Moscow, 121087 (RU)
Données relatives à la priorité :
2008129392 18.07.2008 RU
Titre (EN) CRYSTALLINE PLATE, ORTHOGONAL BAR, COMPONENT FOR PRODUCING THERMOELECTRICAL MODULES AND A METHOD FOR PRODUCING A CRYSTALLINE PLATE
(FR) PLAQUE CRISTALLINE, BARRE ORTHOGONALE, COMPOSANT UTILISÉ POUR FABRIQUER DES MODULES THERMOÉLECTRIQUES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PLAQUE CRISTALLINE
(RU) КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛАСТИНА, ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ БРУСОК, КОМПОНЕНТ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МОДУЛЕЙ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛАСТИНЫ
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to the thermoelectrical instrument-making industry and can be used for producing thermoelectrical devices based on the Peltier and Seebeck effect. In particular, the invention relates to a crystalline plate made of an thermoelectrical laminated material, to an orthogonal bar and to a component, which are used for producing n- and p-type conductivity branches for the production of thermoelectrical modules. Moreover, the invention also relates to a method for producing crystalline plates which are made of an thermoelectrical laminated material based on solid solutions AvBvi by using a directional crystallisation process, in particular the Bridgman method.
(FR)La présente invention concerne l'industrie des instruments thermoélectriques et peut être utilisée pour fabriquer des dispositifs thermoélectriques dont le principe de fonctionnement est basé sur des dispositifs à effet Peltier ou à effet Seebeck. La présente invention concerne notamment une plaque cristalline en matériau thermoélectrique stratifié, une barre orthogonale et un composant utilisé pour fabriquer des branches à conductivité de type p- et de type n- servant à la production de modules thermoélectriques. En outre, la présente invention concerne un procédé servant à fabriquer des plaques cristallines en matériau thermoélectrique stratifié à base de solutions solides A(v)B(vi) par procédé de cristallisation directionnelle, en particulier par procédé Bridgman.
(RU)Кристаллическая пластина, прямоугольный брусок, компонент для производства термоэлектрических модулей и способ получения кристаллической пластины. Изобретение относится к области термоэлектрического приборостроения, и может быть использовано при изготовлении термоэлектрических устройств, принцип работы которых основан на эффектах Пельтье и Зеебека. В частности, изобретение относится к кристаллической пластине из термоэлектрического слоистого материала, прямоугольному бруску и компоненту, предназначенных для изготовления ветвей n- и р- типа проводимости при производстве термоэлектрических модулей. Кроме того, изобретение относится также к способу производства кристаллических платин из термоэлектрического слоистого материала на основе твердых растворов AVBVI методом направленной кристаллизации, в частности методом Бриджмена.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : russe (RU)
Langue de dépôt : russe (RU)