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1. (WO2010013811) PHOTODIODE À TRANSFERT DE CHARGE RAPIDE, PIXEL DE DÉMODULATION D’ONDE OPTIQUE INCIDENTE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/013811    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/063676
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 31.07.2009
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.05.2010    
CIB :
H04N 5/341 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H04N 5/335 (2011.01)
Déposants : National University Corporation Shizuoka University [JP/JP]; 836, Ohya, Suruga-ku, Shizuoka-shi, Shizuoka 4228529 (JP) (Tous Sauf US).
KAWAHITO, Shoji; (US Seulement).
TAKESHITA, Hiroaki; (US Seulement)
Inventeurs : KAWAHITO, Shoji; .
TAKESHITA, Hiroaki;
Mandataire : MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-198872 31.07.2008 JP
Titre (EN) HIGH-SPEED CHARGE TRANSFER PHOTODIODE, LOCK-IN PIXEL, AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) PHOTODIODE À TRANSFERT DE CHARGE RAPIDE, PIXEL DE DÉMODULATION D’ONDE OPTIQUE INCIDENTE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 高速電荷転送フォトダイオード、ロックインピクセル及び固体撮像装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a high-speed charge transfer photodiode which comprises a first conduction-type semiconductor layer (20) that functions as a charge generation region and a second conduction-type surface buried region (21a) that is selectively buried in part of the upper portion of this semiconductor layer (20) and functions as a charge transfer region of the charge generated in the charge generation region.  Also provided are a lock-in pixel and a solid-state imaging device.  In the high-speed charge transfer photodiode, lock-in pixel, and solid-state imaging device, when a specific direction of the surface buried region (21a) defined within a surface parallel to the surface of the semiconductor layer (20) is set as a charge transfer direction of the charge, at least one of the change of the width of the surface buried region (21a) measured in the direction perpendicular to the charge transfer direction and the impurity density distribution of the surface buried region (21a) along the charge transfer direction is set so that the electric field distribution in the charge transfer direction becomes constant.
(FR)L'invention porte sur une photodiode à transfert de charge rapide qui comprend une couche semi-conductrice de premier type de conduction (20) qui sert de région de génération de charge et une région enfouie de surface de second type de conduction (21a) qui est sélectivement enfouie dans une partie de la partie supérieure de cette couche semi-conductrice (20) et sert de région de transfert de charge de la charge générée dans la région de génération de charge. L'invention porte également sur un pixel de démodulation d’onde optique incidente et sur un dispositif d'imagerie à semi-conducteur. Dans la photodiode à transfert de charge rapide, le pixel de démodulation d’onde optique incidente et le dispositif d'imagerie à semi-conducteur, lorsqu'une direction spécifique de la région enfouie de surface (21a) définie dans une surface parallèle à la surface de la couche semi-conductrice (20) est réglée en tant que direction de transfert de charge de la charge, au moins une de la variation de largeur de la région enfouie de surface (21a) mesurée dans la direction perpendiculaire à la direction de transfert de charge et de la distribution de densité d'impureté de la région enfouie de surface (21a) dans la direction de transfert de charge est réglée de telle manière que la distribution de champ électrique dans la direction de transfert de charge devient constante.
(JA) 電荷生成領域として機能する第1導電型半導体層(20)と、この半導体層(20)の上部の一部に選択的に埋め込まれ、電荷生成領域で生成された電荷の電荷転送領域として機能する第2導電型表面埋込領域(21a)とを備え、半導体層(20)の表面に平行な面内において定義された表面埋込領域(21a)の特定方向を電荷の電荷転送方向とし、この電荷転送方向に対し垂直方向に測った表面埋込領域(21a)の幅の変化、及び電荷転送方向に沿った表面埋込領域(21a)の不純物密度分布の少なくとも一方が、電荷転送方向の電界分布を一定にするように設定されている高速電荷転送フォトダイオード、ロックインピクセル、固体撮像装置である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)