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1. (WO2010013718) APPAREIL D'EXTRACTION DE MONOCRISTAL DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/013718    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/063439
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 28.07.2009
CIB :
C30B 15/04 (2006.01)
Déposants : SUMCO TECHXIV CORPORATION [JP/JP]; 1324-2, Masuragahara-machi, Omura-shi, Nagasaki 8568555 (JP) (Tous Sauf US).
NARUSHIMA, Yasuhito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWAZOE, Shinichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OGAWA, Fukuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUBOTA, Toshimichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKUDA, Tomohiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NARUSHIMA, Yasuhito; (JP).
KAWAZOE, Shinichi; (JP).
OGAWA, Fukuo; (JP).
KUBOTA, Toshimichi; (JP).
FUKUDA, Tomohiro; (JP)
Mandataire : SHOBAYASHI, Masayuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-195998 30.07.2008 JP
Titre (EN) SILICON SINGLE CRYSTAL PULL-UP APPARATUS
(FR) APPAREIL D'EXTRACTION DE MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶引上装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a silicon single crystal pull-up apparatus which is compact and has a raising and lowering means with which the position of a sample tube can be easily corrected. A silicon single crystal pull-up apparatus (1) is used to pull up a doped silicon single crystal from a melt by means of the Czochralski process and includes a pull-up furnace (2), a sample chamber (20) which is externally mounted on the pull-up furnace (2) and houses a sublimable dopant (23), a blocking means (24) for thermally isolating the interior of the pull-up furnace (2) and the interior of the sample chamber (20), a sample tube (21) which can be raised and lowered between the interior of the sample chamber (20) and the interior of the pull-up furnace (2), and a raising and lowering means (25) which is provided with guide rails (25b (25c, 25d)) on which the sample tube (21) can slide and a wire mechanism (25a) by which the sample tube (21) is raised and lowered along the guide rails (25b).
(FR)L'invention concerne un appareil d'extraction de monocristal de silicium qui est compact et qui possède un moyen de levage et d'abaissement avec lequel la position d'un tube pour échantillon peut être facilement corrigée. Un appareil d'extraction de monocristaux de silicium (1) est utilisé pour extraire un monocristal de silicium dopé à partir d'une matière en fusion au moyen du procédé de Czochralski et inclut un four d'extraction (2), une chambre d'échantillonnage (20), qui est montée à l'extérieur du four d'extraction (2) et contient un dopant sublimable (23), un moyen de blocage (24) pour isoler thermiquement l'intérieur du four d'extraction (2) et l'intérieur de la chambre d'échantillonnage (20), un tube pour échantillon (21), qui peut être monté et descendu entre l'intérieur de la chambre d'échantillonnage (20) et l'intérieur du four d'extraction (2), et un moyen de levage et d'abaissement (25), qui est équipé de rails de guidage (25b (25c, 25d)) sur lesquels le tube pour échantillon (21) peut coulisser et d’un mécanisme de fil (25a) qui permet de faire monter et descendre le tube pour échantillon (21) le long des rails de guidage (25b).
(JA) 小型でありながら、試料管の位置を容易に修正可能な昇降手段を有するシリコン単結晶引上装置を提供すること。  本発明のシリコン単結晶引上装置1は、ドープされたシリコン単結晶をチョクラルスキー法により融液から引き上げるシリコン単結晶引上装置であって、引上炉2と、引上炉2に外付けされ昇華性ドーパント23を収容する試料室20と、引上炉2の内部と試料室20の内部とを熱的に遮断する遮蔽手段24と、試料室20の内部と引上炉2の内部との間を昇降可能な試料管21と、試料管21が摺動可能なガイドレール25b(25c、25d)及びガイドレール25bに沿って試料管21を昇降させるワイヤ機構25aを備える昇降手段25と、を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)