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1. (WO2010013683) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/013683    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/063361
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 27.07.2009
CIB :
H01L 21/76 (2006.01), H01L 21/8244 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01), H01L 27/11 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (Tous Sauf US).
MIYAMURA Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKEUCHI Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MIYAMURA Makoto; (JP).
TAKEUCHI Kiyoshi; (JP)
Mandataire : KIMURA Mitsuru; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-199441 01.08.2008 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device (10) comprises a semiconductor element (10a) in a logic unit and a semiconductor element (10b) in a memory unit.  Each semiconductor element (10a, 10b) has an element isolation insulating film (107a, 107b) embedded in a trench (104a, 104b).  The element isolation insulating film (107b) of the semiconductor element (10b) in the memory unit has a recessed portion (recess) (110b) in a region adjacent to an active region (108b).  The element isolation insulating film (107a) in the logic unit has a recess (110a) in a region adjacent to an active region (108a), said recess (110a) being shallower than the recess (110b) of the semiconductor element (10b), or alternatively, the element isolation insulating film (107a) does not have the recess (110a).
(FR)Un dispositif à semi-conducteurs (10) comprend un élément semi-conducteur (10a) dans une unité logique et un élément semi-conducteur (10b) dans une unité mémoire. Chaque élément semi-conducteur (10a, 10b) est muni d’un film isolant d'isolation d'élément (107a, 107b) incorporé dans une tranchée (104a, 104b). Dans l’unité mémoire, le film isolant d'isolation d'élément (107b) de l'élément semi-conducteur (10b) présente une partie renfoncée (renfoncement) (110b) dans une région adjacente à une région active (108b). Dans l’unité logique, dans une région adjacente à une région active (108a), le film isolant d'isolation d'élément (107a) présente un renfoncement (110a) moins profond que le renfoncement (110b) de l'élément semi-conducteur (10b) ou, en variante, ne présente pas de film isolant d'isolation d'élément (107a).
(JA) 半導体装置(10)は、ロジック部に半導体素子(10a)、メモリ部に半導体素子(10b)を備える。半導体素子(10a,10b)は、それぞれトレンチ(104a,104b)に埋め込まれた素子分離絶縁膜(107a,107b)を備える。メモリ部の半導体素子(10b)の素子分離絶縁膜(107b)は、活性領域(108b)に隣接する領域に窪み部(凹み部)(110b)を備える。これに対し、ロジック部の素子分離絶縁膜(107a)は、活性領域(108a)に隣接する領域に、半導体素子(10b)の凹み部(110b)と比較し、浅い凹み部(110a)を有する、又は凹み部(110a)そのものを有しない。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)