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1. (WO2010013646) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ÉPITAXIALE ET SUPPORT DE TRANCHE UTILISÉ DANS LE PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/013646    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/063243
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 24.07.2009
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP) (Tous Sauf US).
SAKURAI, Masaya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIBASHI, Masayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAKURAI, Masaya; (JP).
ISHIBASHI, Masayuki; (JP)
Mandataire : SUDA, Masayoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-197723 31.07.2008 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER AND WAFER HOLDER USED IN THE METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ÉPITAXIALE ET SUPPORT DE TRANCHE UTILISÉ DANS LE PROCÉDÉ
(JA) エピタキシャルウェーハの製造方法及びそれに用いられるウェーハの保持具
Abrégé : front page image
(EN)Unevenness is not generated on an epitaxial layer at a position facing a lift pin even when a power ratio between an upper lamp and a lower lamp is changed, and silicon is prevented from being deposited on the rear surface of a silicon wafer. A susceptor (13) having a recessed section (13a) and a ring-like step section (13b) is arranged in a reaction container (11), and a plurality of through holes (13d) are formed on a bottom wall (13c) in the recessed section, excluding the step section.  After temporarily holding a wafer (12) by a lift pin (16) inserted into the through hole, the outer circumferential lower surface of the wafer is placed on the step section and the wafer is stored in the recessed section.  Then, a raw material gas is circulated to the reaction container, and an epitaxial layer is formed on the surface of the wafer in the recessed section.  At the time of forming the epitaxial layer on the surface of the wafer, the lift pin protrudes upward from the bottom wall upper surface, and a height (h) of the top section (16d) of the lift pin with the bottom wall upper surface as a reference is set within a range from a position exceeding 0 mm to a position just before the lift pin makes contact with the wafer.
(FR)Dans une couche épitaxiale, la modification du rapport de puissance entre une lampe supérieure et une lampe inférieure ne génère aucune irrégularité à une position opposée à une broche de levage et le dépôt de silicium sur la surface extérieure d'une tranche de silicium est prévenu. Un suscepteur (13) doté d’une section renfoncée (13a) et d’une section à niveaux annulaires (13b) est agencé dans un récipient à réaction (11) ; une pluralité de trous traversants (13d) est formée sur une paroi inférieure (13c) de la section renfoncée, à l'exclusion de la section à niveaux ; après le support temporaire d'une tranche (12) par une broche de levage (16) introduite dans le trou traversant, la surface inférieure périphérique externe de la tranche est placée sur la section à niveaux et stockée dans la section renfoncée ; puis une matière première gazeuse est amenée à circuler vers le récipient à réaction et une couche épitaxiale est formée sur la surface de la tranche dans la section renfoncée ; à ce moment, la broche de levage fait saillie de la surface supérieure de la paroi inférieure vers le haut et la hauteur (h) de la section supérieure (16d) de la broche de levage dont la référence est la surface supérieure de paroi inférieure est fixée dans une position allant d’un dépassement de 0 mm à immédiatement avant l’entrée en contact de la broche de levage avec la tranche.
(JA) 上側及び下側ランプの出力比を変量しても、リフトピンに対向する位置のエピタキシャル層に凹凸を発生させず、シリコンウェーハ裏面にシリコンを堆積させない。  凹部(13a)とリング状の段差部(13b)とを有するサセプタ(13)を反応容器(11)内に配置し、凹部のうち段差部を除く底壁(13c)に複数の貫通孔(13d)を形成する。貫通孔に挿通されたリフトピン(16)でウェーハ(12)を一時的に保持した後にウェーハの外周部下面を段差部に載せてウェーハを凹部に収容し、原料ガスを反応容器に流通させて凹部内のウェーハ表面にエピタキシャル層を形成する。エピタキシャル層をウェーハ表面に形成するときに、リフトピンが底壁上面より上方に突出し、底壁上面を基準とするリフトピンの頭頂部(16d)の高さhを0mmを超えた位置からリフトピンのウェーハに接触する直前までの範囲に設定する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)