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1. (WO2010013636) FILM DE CÂBLAGE, TRANSISTOR EN COUCHES MINCES, CIBLE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM DE CÂBLAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/013636    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/063185
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 23.07.2009
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), C22C 19/05 (2006.01), C23C 14/14 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Déposants : ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (Tous Sauf US).
TAKASAWA Satoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIBASHI Satoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MASUDA Tadashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKASAWA Satoru; (JP).
ISHIBASHI Satoru; (JP).
MASUDA Tadashi; (JP)
Mandataire : ISHIJIMA Shigeo; Toranomonkougyou Bldg., 3F, 1-2-18, Toranomon, Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-194665 29.07.2008 JP
Titre (EN) WIRING FILM, THIN FILM TRANSISTOR, TARGET, WIRING FILM FORMATION METHOD
(FR) FILM DE CÂBLAGE, TRANSISTOR EN COUCHES MINCES, CIBLE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM DE CÂBLAGE
(JA) 配線膜、薄膜トランジスタ、ターゲット、配線膜の形成方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a highly-reliable thin film transistor. The thin film transistor (20) includes a gate electrode (15), source/ drain electrodes (33, 34), at least one of which electrodes has a barrier film (25). The barrier film (25) adheres to a glass substrate (21) or a semiconductor layer (30). The barrier film (25) contains 50 atomic % of Ni or above, which assures adhesion to the glass substrate (21) and the semiconductor layer (30). Moreover, when a metal resistance layer (26) containing Cu as a main content is formed on the surface of the barrier film (25), Cu will not be diffused into the semiconductor layer (30).
(FR)L'invention porte sur un transistor en couches minces hautement fiable. Le transistor en couches minces (20) comporte une électrode de grille (15); des électrodes de source/drain (33, 34) dont au moins une est munie d'un film de barrière (25). Le film de barrière (25) adhère à un substrat de verre (21) ou à une couche semi-conductrice (30); contient au moins 50 % atomique de Ni, ce qui assure son adhésion au substrat de verre (21) et à la couche semi-conductrice (30); de plus, lorsqu'une couche de résistance métallique (26) dont le contenu principal est Cu est formée sur la surface du film de barrière (25), Cu n'est pas diffusé dans la couche semi-conductrice (30).
(JA)信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。薄膜トランジスタ20のゲート電極15、ソースドレイン電極33、34のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜25を有し、バリア膜25がガラス基板21又は半導体層30に密着している。バリア膜25はNiを50原子%以上含有するので、ガラス基板21や半導体層30に対する密着性が高い。また、バリア膜25表面にCuを主成分とする金属低抵抗層26が形成された場合に、Cuが半導体層30に拡散しない。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)