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1. (WO2010013628) DISPOSITIF D'ÉVALUATION D'ÉPAISSEUR DE FILM ET PROCÉDÉ D'ÉVALUATION D'ÉPAISSEUR DE FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/013628    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/063128
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 22.07.2009
CIB :
G01B 21/08 (2006.01), G01B 7/008 (2006.01)
Déposants : Hitachi, Ltd. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (Tous Sauf US).
HEIKE, Seiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HASHIZUME, Tomihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HEIKE, Seiji; (JP).
HASHIZUME, Tomihiro; (JP)
Mandataire : TSUTSUI, Yamato; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-199608 01.08.2008 JP
Titre (EN) FILM THICKNESS EVALUATION DEVICE AND FILM THICKNESS EVALUATION METHOD
(FR) DISPOSITIF D'ÉVALUATION D'ÉPAISSEUR DE FILM ET PROCÉDÉ D'ÉVALUATION D'ÉPAISSEUR DE FILM
(JA) 膜厚評価装置および膜厚評価方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a film thickness evaluation device capable of evaluating, at a high resolution, the film thickness distribution of an insulator layer formed on a conductor surface.  The film thickness evaluation device, while scanning a probe over a sample surface, obtains the absolute value of film thickness from the square root of the reciprocal of a two time-differential signal associated with the voltage corresponding to the electrostatic force acting between the probe and the sample and a differential signal associated with the distance between the probe and the sample.  The film thickness evaluation device then performs mapping of the film thickness.
(FR)L'invention porte sur un dispositif d'évaluation d'épaisseur de film capable d'évaluer, à haute résolution, la distribution d'épaisseur de film d'une couche d'isolation formée sur une surface conductrice. Le dispositif d'évaluation d'épaisseur de film, tandis qu'il balaye une sonde au-dessus de la surface d'un échantillon, obtient la valeur absolue de l'épaisseur de film à partir de la racine carrée de la réciproque d'un signal à deux différentiels de temps associé à la tension correspondant à la force électrostatique agissant entre la sonde et l'échantillon et d'un signal différentiel associé à la distance entre la sonde et l'échantillon. Le dispositif d'évaluation d'épaisseur de film réalise ensuite la cartographie de l'épaisseur de film.
(JA) 導電体表面に形成された絶縁体層の膜厚分布を高分解能に評価できる膜厚評価装置を提供するために、探針を試料表面上で走査しながら、探針-試料間に働く静電気力の電圧に関する2回微分信号の逆数の平方根と、その探針-試料間距離に関する微分信号から膜厚の絶対値を得て、膜厚のマッピングを行う。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)