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1. (WO2010013562) AGENT DE GRAVURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE GRAVURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/013562    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/061619
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 25.06.2009
CIB :
H01L 21/308 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324 (JP) (Tous Sauf US).
YAGUCHI, Kazuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SOTOAKA, Ryuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAGUCHI, Kazuyoshi; (JP).
SOTOAKA, Ryuji; (JP)
Mandataire : OHTANI, Tamotsu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-193092 28.07.2008 JP
Titre (EN) SILICON ETCHANT AND ETCHING METHOD
(FR) AGENT DE GRAVURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) シリコンエッチング液およびエッチング方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an etchant having long life, which is suppressed in decrease of etching rate when heated, that is characteristic to etchants containing a hydroxylamine, during etching of silicon, especially during anisotropic etching of silicon in a production process of an MEMS component.  An etching method is also disclosed. Specifically disclosed is a silicon etchant anisotropically dissolving single-crystal silicon, which is characterized by being an alkaline aqueous solution containing (A) tetramethylammonium hydroxide, (B) a hydroxylamine and (C) carbon dioxide (CO2) and/or tetramethylammonium carbonate, and having a pH of not less than 13.  A method for etching silicon by using the etchant is also disclosed.
(FR)L'invention porte sur un agent de gravure à longue durée de vie et qui, chauffé pendant une gravure de silicium, notamment pendant une gravure anisotrope de silicium dans un traitement de production d'un composant de système microélectromécanique (MEMS), ne présente pas de diminution de taux de gravure comme tous les agents de gravure contenant une hydroxylamine. L'invention porte également sur un procédé de gravure. De manière spécifique, l'invention concerne un agent de gravure de silicium qui dissout anisotropiquement un silicium monocristallin et est caractérisé par le fait qu'il est constitué d’une solution aqueuse alcaline contenant (A) de l'hydroxyde de tétraméthylammonium; (B) d’une hydroxylamine et (C) de dioxyde de carbone (CO2) et/ou de carbonate de tétraméthylammonium; et dont le pH est égal ou supérieur à 13. L'invention porte également sur un procédé de gravure de silicium avec l'agent de gravure.
(JA) シリコンのエッチング加工、特にMEMS部品の製造工程におけるシリコンの異方性エッチング加工において、ヒドロキシルアミンを含有するエッチング液に特有な加温時のエッチング速度の低下を抑制することによって、エッチング液寿命の長いエッチング液およびエッチング方法を提供する。  単結晶シリコンを異方性に溶解するシリコンエッチング液であって、(A)水酸化テトラメチルアンモニウム、(B)ヒドロキシルアミン、ならびに(C)二酸化炭素(CO2)および/またはテトラメチルアンモニウム炭酸塩、を含有したpH13以上のアルカリ性水溶液であることを特徴とするシリコンエッチング液、および該エッチング液を用いるシリコンのエッチング方法である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)