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1. (WO2010013390) PROCÉDÉ DE POLISSAGE DE TRANCHE ET APPAREIL DE POLISSAGE DOUBLE FACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/013390    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/003021
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 30.06.2009
CIB :
B24B 37/04 (2012.01), B24B 49/12 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (Tous Sauf US).
FURUKAWA, Daisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ASAI, Kazumasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIDA, Takahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA, Tadao [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FURUKAWA, Daisuke; (JP).
ASAI, Kazumasa; (JP).
KIDA, Takahiro; (JP).
TANAKA, Tadao; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-197478 31.07.2008 JP
2008-197508 31.07.2008 JP
2008-197741 31.07.2008 JP
Titre (EN) WAFER POLISHING METHOD AND DOUBLE SIDE POLISHING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE DE TRANCHE ET APPAREIL DE POLISSAGE DOUBLE FACE
(JA) ウェーハの研磨方法および両面研磨装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a wafer polishing method wherein the both surfaces of a wafer are simultaneously polished by sandwiching the wafer and sliding the wafer with a pressure by means of at least a lower plate, which is rotary-driven and has a flat polishing upper surface, an upper plate, which is arranged to face the lower plate, is rotary-driven and has a flat polishing lower surface, and a carrier having a wafer holding hole for holding the wafer.  The wafer is polished while having the thickness thereof measured from a plurality of holes arranged between the rotating center and the periphery of the upper plate or the lower plate, and a polishing slurry is switched to that of a different polishing speed while the wafer is being polished.  Thus, the wafer having high planarity and high smoothness is manufactured with high productivity and high yield.
(FR)L'invention porte sur un procédé de polissage de tranche dans lequel les deux surfaces d'une tranche sont polies de façon simultanée par la prise en sandwich de la tranche et par le coulissement de la tranche avec une pression au moyen d'au moins une plaque inférieure, qui est entraînée en rotation et qui a une surface supérieure de polissage plate, d'une plaque supérieure, qui est agencée pour être opposée à la plaque inférieure, qui est entraînée en rotation et qui a une surface inférieure de polissage plate, et d'un support ayant un trou de retenue de tranche pour retenir la tranche. La tranche est polie pendant que son épaisseur est mesurée à partir d'une pluralité de trous agencés entre le centre de rotation et la périphérie de la plaque supérieure ou de la plaque inférieure, et une suspension épaisse de polissage est changée en une suspension dont la vitesse de polissage est différente alors que la tranche est en train d'être polie. Ainsi, une tranche dont la planéité et le caractère lisse sont élevés est fabriquée avec une productivité et un rendement élevés.
(JA) 本発明は、少なくとも、回転駆動する平坦な研磨上面を有する下定盤と、前記下定盤に対向して配置され回転駆動する平坦な研磨下面を有する上定盤と、ウェーハを保持するウェーハ保持孔を有するキャリアとによって、前記ウェーハを挟持して押圧摺動することで両面を同時に研磨するウェーハの研磨方法において、前記上定盤または前記下定盤の回転中心と周縁との間に設けた複数の孔から前記ウェーハの厚さを測定しながら研磨を行い、前記ウェーハの研磨途中で研磨速度の異なる研磨スラリーに切り替えることを特徴とするウェーハの研磨方法である。これによって、高平坦性・高平滑性のウェーハを高い生産性で、歩留り良く製造することのできるウェーハの研磨方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)