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1. (WO2010013368) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2010/013368    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/000861
Date de publication : 04.02.2010 Date de dépôt international : 26.02.2009
CIB :
H01L 27/148 (2006.01), H04N 5/335 (2011.01), H04N 5/357 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/3728 (2011.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
YONEMURA, Koichi; (US Seulement).
TSUKAMOTO, Akira; (US Seulement).
MATSUNAGA, Yoshiyuki; (US Seulement)
Inventeurs : YONEMURA, Koichi; .
TSUKAMOTO, Akira; .
MATSUNAGA, Yoshiyuki;
Mandataire : OGASAWARA, Shiro; Daido-Seimei Esaka Bldg., 13th Floor, 1-23-101, Esakacho, Suita-shi, Osaka, 5640063 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-199981 01.08.2008 JP
Titre (EN) SOLID STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a back irradiation type solid state imaging device which can produce a high definition image by preventing shading due to variation in the amount of saturated charges or blooming at the time of high brightness light irradiation. A vertical charge transfer region (2) is formed on the front surface side of a semiconductor substrate (23), and a photoelectric conversion region (1) is formed directly under the vertical charge transfer region (2) on the back surface side of the semiconductor substrate (23) becoming the light receiving surface. Furthermore, a p-type diffusion layer (31) and n-type diffusion layer (32) are formed closely to the vertical charge transfer region (2) on the back surface side of the semiconductor substrate (23). Decline of the amount of saturated charge in the photoelectric conversion region (1) can be limited and charges generated excessively can be discharged by controlling the potentials of the p-type diffusion layer (31) and n-type diffusion layer (32) via wiring (33, 34).
(FR)L'invention porte sur un dispositif d'imagerie à semi-conducteur du type à exposition par l'arrière qui peut produire une image à haute définition par prévention d'un ombrage dû à une variation de la quantité de charges saturées ou d'un éblouissement au moment d'une exposition à de la lumière de haute luminosité. Une région de transfert de charge verticale (2) est formée sur le côté de surface avant d'un substrat semi-conducteur (23), et une région de conversion photoélectrique (1) est formée directement au-dessous de la région de transfert de charge verticale (2) sur le côté de surface arrière du substrat semi-conducteur (23) devenant la surface de réception de lumière. En outre, une couche de diffusion du type p (31) et une couche de diffusion du type n (32) sont formées à proximité de la région de transfert de charge verticale (2) sur le côté de surface arrière du substrat semi-conducteur (23). Une baisse de la quantité de charge saturée dans la région de conversion photoélectrique (1) peut être limitée et des charges générées en excès peuvent être déchargées par commande des potentiels de la couche de diffusion du type p (31) et de la couche de diffusion du type n (32) par l'intermédiaire de câblage (33, 34).
(JA) 飽和電荷量のバラツキによるシェーディングや高輝度光照射時のブルーミングを防止し、高画質な画像が得られる裏面照射型の固体撮像装置を提供する。半導体基板(23)の表面側には、垂直電荷転送領域(2)が形成され、受光面となる半導体基板(23)の裏面側の垂直電荷転送領域(2)の直下には、光電変換領域(1)が形成されている。更に、半導体基板(23)の表面側の垂直電荷転送領域(2)の近傍には、p型拡散層(31)とn型拡散層(32)が形成される。配線(33及び34)を介してp型拡散層(31)及びn型拡散層(32)の電位を制御することによって、光電変換領域(1)の飽和電荷量の低下を抑制したり、過剰に発生した電荷を排出したりすることが可能となる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)